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Cortocircuito mayorista

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Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Tecnología de Fabricación: Dispositivo de Circuitos Integrados

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Procesamiento De La Señal: Simulación

Aplicación: Célula solar

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

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Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

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Procesamiento De La Señal: Simulación

Aplicación: Célula solar

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Aplicación: Célula solar

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Aplicación: Célula solar

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

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10µ° C temperatura de funcionamiento 150 S tolerancia de cortocircuito 1200V 40A FRD Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

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Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

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Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

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Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

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Optimizado para aplicaciones de conmutación de <1kHz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V DC-1 kHz (estándar) discreto IGBT de automoción

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor de Tipo N

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Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Tipo: Semiconductor de Tipo N

Paquete: DIP

Procesamiento De La Señal: Simulación

Aplicación: Célula solar

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Excelente rendimiento de la conmutación de 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

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Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor de Tipo N

Paquete: DIP

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Aplicación: Célula solar

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

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IGBT Automotive discreto en un paquete to-247AC

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IGBT Automotive discreto en un paquete to-247AC

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Convertidores de frecuencia de conmutación DE rango MEDIO a alto Trench de parada de campo IGBT

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Convertidores de frecuencia de conmutación DE rango MEDIO a alto Trench de parada de campo IGBT

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Automotive IGBT excelente estabilidad y uniformidad Ost40n120hmf

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TPS92638qpwprq1 en stock los Circuitos Integrados IC

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Material: Elemento Semiconductor

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: DIP

Procesamiento De La Señal: Digital

Aplicación: Frigorífico

1/ 2

Favoritos

600A/1200V Módulo IGBT Sustituir Infineon FF600R12ME4

US$ 148,00-158,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Tecnología de Fabricación: Dispositivo de Circuitos Integrados

Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

1/ 2

Favoritos

400A/650V A10 módulo IGBT sustituir Infineon S400r07A1e3 para aplicación de automóvil

US$ 189,00-198,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

1/ 2

Favoritos

15A/1200V N 2 IGBT Sustituir Infineon fp15R12W1t4 de aire acondicionado

US$ 26,8-28,8 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

1/ 2

Favoritos

Módulo IGBT serie N2 sustituir Infineon Fp10r12W1t4

US$ 15,00-30,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

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Favoritos

e63 40A/1200V módulo IGBT sustituir Infineon Fp40r12kt3

US$ 56,8-58,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

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Favoritos

450A/1200V Módulo IGBT Sustituir Infineon FF450R12ME4

US$ 138,00-148,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

Favoritos

75A/1200V E75 Módulo IGBT Sustituir Infineon fp75R12kt4

US$ 58,00-68,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

Embalaje: Carton

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Favoritos

La serie F45 del módulo de alta potencia IGBT sustituir productos Infineon

US$ 58,00-68,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

Procesamiento De La Señal: Digital

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25A/1200V Pim en One-Package IGBT para amplificador de controlador servo

US$ 23,8-25,8 / Pieza

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Material: Semiconductor Compuesto

Tipo: Semiconductor Intrínseco

Paquete: MCM

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La serie N3 1200V/25un módulo de IGBT Sustituir Infineon fp25R12W2t4.

US$ 15,00-30,00 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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Procesamiento De La Señal: Digital

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35A/1200V N3 del módulo de IGBT Replae Infineon fp35R12W2t4.

US$ 26,8-29,8 / Pieza

1 Pieza (MOQ)

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