Foto del producto: El parámetro de producto :
| El parámetro |
Símbolo |
Condiciones |
Valor |
Unidad |
| Tensión Collector-Emitter |
VCES |
Gve=0V, IC = 1mA, Tvj=25ºC |
1200 |
V |
| Corriente de colector continua |
IC |
Tc=100ºC |
450 |
Un |
| Picos de corriente de colector |
ICRM |
ICRM=2IC |
900 |
Un |
| Tensión Gate-Emitter |
VGES |
Tvj=25ºC |
±20 |
V |
| Disipación de potencia total de IGBT (inversor) |
Ptot |
Tc=25ºC Tvjmax=175ºC |
2500 |
W |
Características Mayor densidad de potencia Tj max = 175°C PressFIT pasadores de control y el tornillo terminales de potencia Sensor de temperatura NTC integrado Placa base con aislamiento Baja Vce(sat) con tecnología planar Vce(sat) con el coeficiente de temperatura positivo Incluyendo rápido y la recuperación de software anti-paralela FWD Alta capacidad de cortocircuito(10us) La estructura de módulo de baja inductancia Los beneficios Mayor inversor de corriente de salida para el mismo tamaño de trama La reducción de costes del sistema mediante la simplificación de los sistemas inverter Fácil y más fiable de general Entre la conexión de alta fiabilidad Adecuado para la prensa y en el proceso de soldadura Aplicaciones Comercial, la construcción y los vehículos agrícolas (CAV) El control del motor y unidades Soluciones para sistemas de energía solar Fuente de alimentación ininterrumpida (SAI) Conmutación suave máquina de soldadura AC y DC amplificador de servoaccionamiento E52/E53 Módulo IGBT es uno de los más populares paquetes de IGBT en todo el mundo y se utiliza en muchas aplicaciones diferentes, tales como unidades de propósito general; Comercial, la construcción y los vehículos agrícolas, así como eBus; Solar; el viento; Tracción; UPS y por último, la transmisión y distribución. En el módulo de última generación ahora es factible aumentar la corriente del módulo a 900 A. Esto es posible a través de la nueva tecnología IGBT permitiendo una mayor densidad de potencia y la reducción de costes de la BoM. Diagrama de circuito Dibujo de paquete Productos de la Serie E53:
| El modelo |
Vces(V). |
Ic(T=80)(A) |
VCE(sat) Tj = 125 °C. |
Eon+Eof(TJ=125)(MJ) |
Rthjc(KW). |
| Gtl300B65E53 |
650 |
300 |
1.45 |
30 |
0.2 |
| Gtl450B65E53 |
650 |
450 |
1.45 |
43 |
0.09 |
| Gtl600B65E53 |
650 |
600 |
1.45 |
54 |
0.06 |
| Gtl150B120E53 |
1200 |
150 |
1.85 |
34 |
0.08 |
| Gtl225B120E53 |
1200 |
225 |
1.85 |
43 |
0.07 |
| Gtl300B120E53 |
1200 |
300 |
1.85 |
62 |
0.04 |
| Gtl450B120E53 |
1200 |
450 |
1.85 |
91 |
0.03 |
| Gtl600B120E53 |
1200 |
600 |
1.85 |
121 |
0.02 |
| Gtl150B170E53 |
1700 |
150 |
2.4 |
105 |
0.08 |
| Gtl225B170E53 |
1700 |
225 |
2.4 |
153 |
0.07 |
| Gtl300B170E53 |
1700 |
300 |
2.4 |
210 |
0.04 |
| Gtl450B170E53 |
1700 |
450 |
2.4 |
295 |
0.04 |
| Gtl600B170E53 |
1700 |
600 |
2.4 |
352 |
0.03 |
FAQ: 1.¿Por qué los IGBT especificado para 175ºC sobrecarga? El CETC IGBT es desarrollado para funcionar a una temperatura constante de 175°C. La sobrecarga limitación está dada por el paquete. La mayoría de las aplicaciones están diseñadas con un perfil de sobrecarga y aquí los IGBT es perfecto. El CETC IGBT proporciona las más bajas pérdidas de electricidad estática. 2.Cómo manejar la alta carga de la puerta de IGBT especificado para la hoja de datos? Carga de la puerta de la especificada en la hoja de datos es para una operación con GVE de ± 20 V. La mayoría de los clientes usan GVE en el rango de +5.4 V +7 V. Aquí la carga de la puerta es mucho menor y con este valor, típico de frecuencias de conmutación pueden ser abordadas con el estándar de unidades. 3.soporte técnico Con el fin de que podamos procesar su solicitud tan eficientemente como sea posible y garantizar su caso debidamente informado, te rogamos que envíe su solicitud a través de nuestro equipo de servicio.
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