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Ofreciendo Microled personalizada Chip, la pantalla del panel de Microled Microled
Ofreciendo Microled personalizada Chip, la pantalla del panel de Microled Microled
Pedido Mínimo: 10 Piezas
  • Modo de conducción: AMOLED
  • Aplicación: Electrónica de consumo
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2 pulgadas CVD Wafer nivel Diamond Wafers / Diamond Heat Pica
2 pulgadas CVD Wafer nivel Diamond Wafers / Diamond Heat Pica
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: CVD
  • Especificación: 2 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin obleas epitaxial de GaN GaN / personalizadas en el sustrato (estructura personalizada)
Nanowin obleas epitaxial de GaN GaN / personalizadas en el sustrato (estructura personalizada)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin Epitaxial GaN GaN zafiro de obleas / (GaN/Zafiro)
Nanowin Epitaxial GaN GaN zafiro de obleas / (GaN/Zafiro)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin obleas epitaxial de GaN GaN / en la GAN/Sic (SiC)
Nanowin obleas epitaxial de GaN GaN / en la GAN/Sic (SiC)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin GaN sus obleas epitaxiales / GaN GaN (en la GAN/GaN)
Nanowin GaN sus obleas epitaxiales / GaN GaN (en la GAN/GaN)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin Epitaxial GaN GaN sobre si las obleas / (GaN/Si)
Nanowin Epitaxial GaN GaN sobre si las obleas / (GaN/Si)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin 10mm*10mm pequeños trozos de cristal único Diamante sustrato
Nanowin 10mm*10mm pequeños trozos de cristal único Diamante sustrato
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin 4~6 pulgadas GaN sus obleas epitaxiales/GaN obleas de Epi/GaN GaN plantillas (en ie/ GaN en SiC// GaN GaN GaN en el Sapphire)
Nanowin 4~6 pulgadas GaN sus obleas epitaxiales/GaN obleas de Epi/GaN GaN plantillas (en ie/ GaN en SiC// GaN GaN GaN en el Sapphire)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin Aln sustratos/cristal único obleas de nitruro de aluminio (2pulg./1pulg./diámetro 20 mm/15mm/10mm Free-Standing)
Nanowin Aln sustratos/cristal único obleas de nitruro de aluminio (2pulg./1pulg./diámetro 20 mm/15mm/10mm Free-Standing)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin 10mm*10,5mm piezas pequeñas de sustratos de GAN independientes (tamaño personalizado, sin dopar, si dopado, Fe dopado)
Nanowin 10mm*10,5mm piezas pequeñas de sustratos de GAN independientes (tamaño personalizado, sin dopar, si dopado, Fe dopado)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Brand: Nanowin
  • Model: Un-Doped, Si-Doped, Fe-Doped
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
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Nanowin 4~6 pulgadas Aln sus obleas epitaxiales/ Aln plantillas (AlN en Sapphire/ AIN sobre Si/ AlN en Sic)
Nanowin 4~6 pulgadas Aln sus obleas epitaxiales/ Aln plantillas (AlN en Sapphire/ AIN sobre Si/ AlN en Sic)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Pulgadas Free-Standing Nanowin 2~4 GaN sustratos (ONU-dopado, Si-dopado, Fe-dopado)
Pulgadas Free-Standing Nanowin 2~4 GaN sustratos (ONU-dopado, Si-dopado, Fe-dopado)
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Brand: Nanowin
  • Model: Un-Doped, Si-Doped, Fe-Doped
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
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Pulgadas Free-Standing Nanowin 2~4 Sustratos de nitruro de galio (GaN) /U-GaN, N-GaN, Si-GaN
Pulgadas Free-Standing Nanowin 2~4 Sustratos de nitruro de galio (GaN) /U-GaN, N-GaN, Si-GaN
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Semiconductor Compuesto
  • Especificación: 2 inch, 4 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Nanowin 4~8 pulgadas GaN sus obleas epitaxiales/GaN obleas de Epi// GaN GaN sobre si en la sic// GaN GaN GaN en el Sapphire
Nanowin 4~8 pulgadas GaN sus obleas epitaxiales/GaN obleas de Epi// GaN GaN sobre si en la sic// GaN GaN GaN en el Sapphire
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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6 Pulgadas Free-Standing Nanowin Semi-Insulating sustratos Sic sic// Oblea Epitaxial Brecha de banda ancha de alta potencia de materiales y semiconductores
6 Pulgadas Free-Standing Nanowin Semi-Insulating sustratos Sic sic// Oblea Epitaxial Brecha de banda ancha de alta potencia de materiales y semiconductores
Pedido Mínimo: 1 piece
  • Material: Compound Semiconductor
  • Type: N-type Semiconductor
  • Manufacturing Technology: Mocvd
  • Especificación: 2 inch, 4 inch, 6 inch, 8 inch
  • Marca Comercial: Nanowin
  • Origen: China
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Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd.

Shandong, China

Última Fecha de Inicio de Sesión: Jun 03, 2024

Tipo de Negocio: Fabricante/Fábrica

Productos Principales: Sustratos independientes de nitruro de galio, sustratos independientes de nitruro de aluminio, sustratos independientes de carburo de silicio, cristal simple de diamante, oblea GAN Epi, oblea ALN Epi, oblea Sic Epi

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