Mr. Kevin
Sales Director
Saledepartment
Dirección:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Teléfono:
Código Postal:
Fax:
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Cuenta Registrada en:
2021
Rango de Negocios:
Producto Eléctrico y Electrónico
Certificación del Sistema de Gestión:
ISO 9001, ISO 9000, ISO 14000, OHSAS/ OHSMS 18001, IATF16949, QC 080000
Tipo de Negocio:
Fabricante/Fábrica
Introducción de Empresa
Capacidad Comercial
Capacidad de Producción
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC) es una sucursal de Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (Nanowin).
Estamos comprometidos con el desarrollo y la fabricación de materiales de separación de banda ancha de mejor calidad y rentable: GAN, SiC, AlN, sustratos de cristal sencillo Diamond y obleas epi.
Nuestros principales productos:
Nitrato de galio
2-6 pulgadas ...
Estamos comprometidos con el desarrollo y la fabricación de materiales de separación de banda ancha de mejor calidad y rentable: GAN, SiC, AlN, sustratos de cristal sencillo Diamond y obleas epi.
Nuestros principales productos:
Nitrato de galio
2-6 pulgadas ...
Advanced Semiconductor Materials Co., Ltd. (ASMC) es una sucursal de Suzhou Nanowin Science and Technology Co., Ltd (Nanowin).
Estamos comprometidos con el desarrollo y la fabricación de materiales de separación de banda ancha de mejor calidad y rentable: GAN, SiC, AlN, sustratos de cristal sencillo Diamond y obleas epi.
Nuestros principales productos:
Nitrato de galio
2-6 pulgadas sustratos libres GAN
estándar 2-8 pulgadas obleas epitaxiales GAN
personalizadas para PIN/SBD/HEMT/MOS/LED etc.
Aluminium Nitruro
2-4 pulgadas sustratos libres AlN, 2 obleas epitaxiales inchAlN.
Carburo de silicio
4-6 pulgadas de alta calidad Semiaislante sustratos de SiC
4-6 pulgadas de SiC epi sustratos
Diamond
10*10*0,3mm, 10*10*0,5mm diamante de cristal simple o diamante de poliristalina (grado óptico, grado electrónico)
por favor, no dude en informarnos, si está interesado en nuestros productos.: )
Estamos comprometidos con el desarrollo y la fabricación de materiales de separación de banda ancha de mejor calidad y rentable: GAN, SiC, AlN, sustratos de cristal sencillo Diamond y obleas epi.
Nuestros principales productos:
Nitrato de galio
2-6 pulgadas sustratos libres GAN
estándar 2-8 pulgadas obleas epitaxiales GAN
personalizadas para PIN/SBD/HEMT/MOS/LED etc.
Aluminium Nitruro
2-4 pulgadas sustratos libres AlN, 2 obleas epitaxiales inchAlN.
Carburo de silicio
4-6 pulgadas de alta calidad Semiaislante sustratos de SiC
4-6 pulgadas de SiC epi sustratos
Diamond
10*10*0,3mm, 10*10*0,5mm diamante de cristal simple o diamante de poliristalina (grado óptico, grado electrónico)
por favor, no dude en informarnos, si está interesado en nuestros productos.: )
Términos Comerciales Internacionales(Incoterms):
DAP
Condiciones de Pago:
T/T
Número de Personal de Comercio Exterior:
1~3 Personas
Año de Exportación:
2012-02-03
Porcentaje de Exportación:
51%~70%
Mercados Principales:
América del Norte, Sudamerica, Europa del Este, Sudeste de Asia, África, Oceanía, Medio Oriente, Asia Oriental, Europa Occidental
Modo de Importación & Exportación:
Exportación Vía Agencia
Dirección de Fábrica:
112 Minziqian Road, Lixia District, Jinan, Shandong, China
Capacidad de R&D:
ODM, Marca Propia(Nanowin)
No. de Personal de R&D:
31-40 Personas
No. de Líneas de Producción:
Above 10
Valor de Producción Anual:
Encima de US $ 100 Millones
Producción Anual de los Principales Productos:
| Nombre del Producto | Unidades Producidas (Año Anterior) |
|---|---|
| Gallium nitride substrate | 500000 Otro |