Nitruro de Galio (GaN) Cristal Único

• materiales: sustratos de nitruro de galio
• grosor: 350um
• tamaño: 2inch a 4 pulgadas
• No. de Modelo.: FW-GaN
• tecnología de fabricación: semiconductor optoelectrónico
• material: semiconductor compuesto
• tipo: semiconductor tipo n.
• aplicación: televisión
• marca: finewin
• Paquete de Transporte: caja
• Especificación: 2inch
• Marca Comercial: finewin
• Origen: Jiaozuo City Henan Province
• Capacidad de Producción: 1000 pcs/mes

Descripción de Producto

Nitruro de galio (GaN) único cristal

1. Lo que se GaN sustratos
Nitruro de galio es una especie de una amplia brecha semiconductores compuestos. Está hecho con el original método HVPE oblea y la tecnología de procesamiento, que ha sido desarrollado originalmente por muchos años.

2.Aplicación
Los diodos láser para Blu-ray Disc^™ y los proyectores de luz
Futuro de la aplicación: GaN PN-diodo con tensión de ruptura alta más de 3.000V y baja en la resistencia de 1mΩ·cm²
Larga vida, eficiente y fiable y optoelectrónicos de dispositivos electrónicos
Led de alto brillo para la iluminación general y de alta energía, los transistores de alta frecuencia para estaciones base de telefonía celular y la defensa de las aplicaciones.

3.Producto disponible

2"sustratos GaN  
Pequeñas piezas (10*10.5mm) para el uso de las pruebas
La plantilla de GaN dopada con gran capa de tipo n (n=<1E19/cm³).
Ntipo (undoped) Ntipo (Ge dopado), aislantes y semi-(Fe dopado) sustratos disponibles
La no-polar y semi-polar sustratos GaN


4. Características
 Altas cristalinas, una buena uniformidad y calidad de la superficie superior

XRD-AAM	002	102
350μm FSGaN	25-45	20-55

5. La especificación

El tema	GaN-FS-C-U-C50	GaN-FS-C-N-C50	GaN-FS-C-SI-C50
Dimensiones	Ф 50,8 mm ± 1 mm.
Grosor	350 ± 25 µm
Superficie utilizable	> 90%
La orientación	Plano C (0001) en ángulo hacia el eje M 0,35°± 0,15°
Plano de orientación	(1-100) ± 0,5°, de 16.0 ± 1.0 mm
Plano de orientación secundaria	(11-20) ± 3°, de 8,0 ± 1,0 mm
Vtt (El total de variación del espesor)	≤ 15 µm
BOW	≤ 20 µm
Tipo de conducción	Tipo N (Undoped)	Tipo N (Ge-dopado)	Semi-Insulating (Fe-dopado)
La resistividad(300K	< 0,5 Ω·cm.	< 0,05 Ω·cm.	>106 Ω·cm.
Densidad de dislocaciones	1~9x105 cm-2	5x105 cm-2 ~3x106 cm-2	1~9x105 cm-2
	1~3x106 cm-2		1~3x106 cm-2
El pulido	La superficie frontal: Ra < 0,2 nm. Epi-listo pulido La superficie trasera: Fina tierra
Paquete	Empaquetado en un ambiente de sala limpia clase 100, en la única oblea contenedores, en virtud de una atmósfera de nitrógeno.

6. Imágenes

Exposición en el extranjero

5.PREGUNTAS FRECUENTES:

P: ¿Qué es la forma de envío y el costo?

R:(1) Aceptamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, etc.

  (2) Si usted tiene su propia cuenta express, es genial.Si no, podemos ayudarle enviarlos.  

 P: ¿Cómo pagar?

R: T/T, Paypal, etc

P: ¿Cuál es su MOQ?

R: (1) Para el inventario, la MOQ es de 5 pcs.

   (2) para productos personalizados, MOQ es 10pcs-25PC.

P: ¿Cuál es la hora de entrega?

R: (1) Para los productos estándar

     Para el inventario: la entrega es de 5 días laborables después de realizar el pedido.

     Para productos personalizados: la entrega es de 2 o 3 semanas después de realizar el pedido.

   (2) Para los productos de forma especial, la entrega es de 4 o 6 workweeks después de realizar el pedido.

Q: ¿tienen los productos estándar?

R: Nuestros productos estándar en stock.

P: ¿Puedo personalizar los productos basados en mi necesidad?

R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y recubrimiento óptico para sus componentes ópticos basados en sus necesidades.