Henan, China
Productos Principales:
Sustratos de zafiro , sustratos de silicio , sustratos de GaN de precisión y autoportantes y plantillas de GaN , ventanas ópticas , obleas de carburo de silicio , TeO2 cristales , prismas , Linbo3 Crystals&Litao3 cristales , lentes , Yvo4 cristales y cristales de Ktp
Dirección:
Autoparts Community, Jiefang District, Jiaozuo, Henan, China
Mercados Principales:
América del Norte, Sudamerica, Europa del Este, Sudeste de Asia, África, Oceanía, Medio Oriente, Asia Oriental, Europa Occidental
Términos Comerciales Internacionales(Incoterms):
FOB, CFR, CIF
Condiciones de Pago:
T/T, PayPal, Western Union, Pago de pequeña cantidad
Plazo de Ejecución Medio:
Plazo de Ejecución de Temporada Alta: Dentro de 15 días Laborables, Tiempo de Entrega Fuera de Temporada, Dentro de 15 días Laborables
Muestra Disponible
Secured Trading Service
Clasificación:
5.0/5

Manufactura y proveedor chino de Sustratos de zafiro, sustratos de silicio, sustratos de GaN de precisión y autoportantes y plantillas de GaN, ventanas ópticas, obleas de carburo de silicio, TeO2 cristales, prismas, Linbo3 Crystals&Litao3 cristales, lentes, Yvo4 cristales y cristales de Ktp, ofreciendo Unidades de Orientación de Rayos X para Probar la Orientación del Cristal Sólido de Zafiro, Unidad de Orientación de Rayos X de Monocristal de Semiconductores para Pruebas de Cristales Semilla, 10mm*10mm*1mm Srtio3 Sustratos de Cristal Único y así sucesivamente de calidad.

Miembro de Oro
Proveedor Auditado Proveedor Auditado
Secured Trading Service
Inicio Productos Wafers de silicio

Wafers de silicio

Total 155 Wafers de silicio Productos

2 Pulgada 275um Grosor Tipo P 1-30ohm. Cm Resistividad Ssp Silicio Wafers

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Tipo P 4 Pulgada 525um Grosor Resistividad 1-30ohm. Cm Ssp Oblea de Silicio

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

4 Pulgada 525um Grosor Tipo Resistividad 1-30ohm. Cm Ssp Silicio Wafers

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Tipo P 8inch 725um Resistencia Espesa 1-100ohm. Cm Prueba de Wafers de Silicio

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Dopante tipo N como 4inch 525um obleas de silicio gruesas

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Dopante de tipo P de grado primo boro 4inch 525um grueso Si/Sio2 obleas de óxido

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Tipo N 4inch 525um Resistividad Gruesa 0.05-0.1ohm. Cm DSP Wafers de Silicio

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

6 Wafers de silicio tipo P de pulgada

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

8inch 700± 25μ M Piensa Ssp Dummy Wafers de Silicio

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Fz Ssp 6inch Wafers de Silicio No Dopados Tipo N

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Fz/CZ Monocristalino 2-12 Pulgada Silicon/Sio2 Wafers

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Wafer de Silicio Monocristalino 4-8 Pulgadas Dummy

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Suministro de fábrica de obleas de silicio de infrarrojo lejano, cristales de silicio, obleas de silicio de alta calidad

Pedido Mínimo: 25 Piezas
Certificación: RoHS
Material: Semiconductor Compuesto
Model: N & P
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150

Wafer de silicio monocristalino pulido de doble cara de alta calidad y personalizado de 2-12 pulgadas para electrónica

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer de Silicio Monocristalino Personalizado 1 Inch-12inch con Capa de Óxido de 100 Nm -1000nm

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Suministro de calidad prime grado 50mm-300mm oblea de silicio pulida por un solo lado para dispositivo de potencia

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer de silicio monocristalino de alta pureza P-Type personalizado de 4 pulgadas con un lado pulido

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Suministrar cristal único 4-6 pulgadas grado primo tipo N y tipo P oblea de silicio

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafer de silicio monocristalino personalizado Fz no dopado con alta resistividad 2-12inch Wafers semiconductores

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Wafers de Carburo de Silicio de Grado Primo 2/3/4/6/8/12inch Wafers Dummy para Dispositivos Electrónicos de Potencia

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Suministrar oblea de silicio monocristalino 2-12 pulgadas pulida por ambos lados oblea de semiconductores de silicio

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Personalizado 4-6 "Wafers epitaxiales de GaN sobre silicio basados en silicio para dispositivos de potencia vertical

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Suministro de obleas de silicio monocristalino tipo N/P para materiales ópticos infrarrojos

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um

Suministrar oblea de silicio monocristalino semiconductor tipo N 300mm para célula solar

Precio FOB: US$ 1,00-100,00 / Pieza
Pedido Mínimo: 25 Piezas
Growth Method: CZ and Fz
Orientation: 111 or 100
Resistivity: 0.0005 to 150
Surface: Double Side Polished or Single Side Polished
Dopant: N Type and P Type
Particles: <30 at 0.3um