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Psa 3003P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -3A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Nsa 3422Baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 55V 2.1A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx20n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 20A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx7n80 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa634 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 250V 8.1A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx6n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 600V 6.2A220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd60R850 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V 5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa630 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 9A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 3401P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -4.1UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wga24n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 24A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

3415psa-4K de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Las piezas de -20V -4,9 UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx1n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 650V 0.4A-92

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2309El psa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Partes -60V-2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa740 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 400V 11,4UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx16n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 16A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa16n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V16A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa18n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd65R950 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V5a

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa50R290 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 13A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa9n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas-220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa36n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 36A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

138 de la NSA de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 50V 0.22A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

3401psa-L de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Partes -30V -4.1UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx7n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx12n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 600V 12A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgu2n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot23 Partes 200V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd60R650 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V 7A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa60R380 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V 11A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx2n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 900V 1.7A251

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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