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2300nsa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 20V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa65R420 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 11A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa16n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V16A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wga50R045 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 50A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx5n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 600V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx5n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a-251 Partes 500V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

3415psa-AP de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Las piezas de -20V -4.1UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx6n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 600V 6.2A220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wga65R080 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 650V251 47A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 3003P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -3A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx20n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 20A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Gx2n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Gx12n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 600V 12A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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10h02nsa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot23 Partes 100V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Gx1n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 600V 0.4A92

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Gx5n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 900V 5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Ppa65R500 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 600V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx4n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 900V 4A.

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa9n20 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas-220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Nsa 3402Baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot23 Partes 30V 4A.

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa13n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 13A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
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Nsa 3416Baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot de piezas de 20V 6.5A23

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx10n80 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a3p partes 800V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa18n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2302nsa-S de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 20V 2A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 2305P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 partes -12 V -4.1UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
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Gx1n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a-126 Partes 650V 0.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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Ppa60R450 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 600V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
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