Aproximadamente 2200 productos resultados

Gx1n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 650V 0.4A-92

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx10n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 600V 9.5A220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx6n40 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 400V 5.5A-220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

3415psa-4K de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal P Componente Original Sot23 Las piezas de -20V -4,9 UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2321El psa de baja tensión de alta calidad Pchannel transistor Mosfet componente original Sot23 Partes -20V-2.9UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wga24n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 24A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx2n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 900V 2.2A220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 3003P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -3A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa5n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa65R500 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 650V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa50R380 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 11A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Nsa 2306Baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 30V de 3,16 A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 600V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Psa 2307P de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal componente original Sot23 Partes -30V -2.7UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx5n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 900V 5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd50R750 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 500V 5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd60R850 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V 5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx15n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 650V 15A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgd65R700 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 650V251 7A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wgu5n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 4.5A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa50R240 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 500V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

0615esa baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 70V de 0,1

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx15n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 600V 15A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa13n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 13A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa50R290 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 13A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa630 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 9A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa640 de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 200V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 400V-22011,4UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa9n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 9A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx6n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de las piezas220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China
Mostrar: 10 30 50