Aproximadamente 2200 productos resultados

B649A 0.9A -160V Pnpto Transistor-92

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

La oscilación Yu-148 Eimac 3CX6000A7 Tubo triodo de potencia

  • Proceso de dar un título: RoHS,ISO
  • Embalaje: Box
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 200PCS/Month
  • Kaiheng Electronics Co., Limited
  • Provincia: Fujian, China

D880 2A 150V Transistor NPN Sot23

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

D880 3A 50V a transistores NPN-126

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Bc847 de 0,1 50V de transistores NPN Sot23

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Mjd243 1.5A -100 V Transistor PNP A-126

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2SB1151 5A-60V Transistor PNP A-252

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: pequeñas Centrales
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: PNP
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx11n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 900V 10A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Tubo de alta frecuencia

  • Estructura de encapsulación: El transistor de Unidades de cerámica
  • Instalación: Plug-in de triodo
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia
  • Estructura: Difusión
  • Shijiazhuang Ifan Imp&Exp Trade Co., Ltd
  • Provincia: Hebei, China

IC de buena calidad

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

7t69rb tubo triodo

  • Proceso de dar un título: CE
  • Estructura de encapsulación: El transistor de Unidades de cerámica
  • Instalación: Plug-in de triodo
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia
  • Dongguan Jing Yi High Frequency Machinery Co., Ltd
  • Provincia: Guangdong, China

Tubo de electrones Electricidad Tube 7092

  • Proceso de dar un título: CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de vidrio sellada
  • Instalación: Plug-in de triodo
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Media Potencia
  • Función: triodo de potencia
  • Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
  • Provincia: Liaoning, China

MOSFET N-CH 50V 210mA SC70 Bss138W tubo MOS de transistor

  • Proceso de dar un título: ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de Unidades de cerámica
  • Instalación: SMD Tríodo
  • Frecuencia de trabajo: Sobrecalentamiento
  • Nivel de potencia: Media Potencia
  • Estructura: planar
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Provincia: Guangdong, China

Sugerencia147 Paquete A-220 de transistor de potencia Darlington

  • Proceso de dar un título: RoHS
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Instalación: Plug-in de triodo
  • Frecuencia de trabajo: Baja frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: tubo Darlington
  • Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.
  • Provincia: Liaoning, China

Wga24n50 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 24A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

De entrada de reloj de serie 32k (8 bits de ancho).

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

Dmg2305ux-7 Sot-23-3 circuito integrado de componentes electrónicos original Stock Semiconductor Diodo

  • Proceso de dar un título: RoHS
  • Estructura de encapsulación: El transistor de Unidades de cerámica
  • Instalación: SMD Tríodo
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Fotosensible
  • Guangzhou ertai Trading Co., LTD
  • Provincia: Guangdong, China

3400nsa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot de piezas de 30V 5.8A23

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

IC

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

Gx9n90 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a3p las piezas a 900V 8A.

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Precio barato IC

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

Gx6n60 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original de piezas de 600V 6.2A220

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Realizados en la Chna IC

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

Ppa11n40 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 400V 11,4UN

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

De entrada de reloj de serie 64k (8 bits de ancho).

  • Estructura de encapsulación: chip de transistor
  • Embalaje: Original
  • Estándar: ce
  • Marca: FMD
  • Origen: China
  • Capacidad de Producción: 500k/Month
  • Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
  • Provincia: Guangdong, China

Gx16n50 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A220 Partes 500V 16A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: triodo de potencia,Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Gx18n65 de alta tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original a220f partes 650V 18A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Ppa50R140 de Media Tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 500V 24A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

2310nsa de baja tensión de alta calidad transistor MOSFET de canal N Componente Original Sot piezas23 60V 3A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China

Wga60r070D de alta calidad medio voltaje transistor MOSFET de canal N componente original A251 Partes 600V47A

  • Proceso de dar un título: RoHS,CE,ISO
  • Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
  • Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
  • Nivel de potencia: Alto Voltaje
  • Función: Triodo de conmutación
  • Estructura: NPN
  • Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
  • Provincia: Jiangsu, China
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