Láser de Bule
| Precio FOB de Referencia: | US$ 1,00 / Pieza |
|---|---|
| Pedido Mínimo: | 1 Pieza |
| Pedido Mínimo | Precio FOB de Referencia |
|---|---|
| 1 Pieza | US$ 1,00/ Pieza |
| Condiciones de Pago: | T/T |
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Descripción de Producto
Información de la Compañía
Dirección:
No. 218, Xinghu Street, Suzhou Industrial Park, Suzhou, Jiangsu, China
Tipo de Negocio:
Fabricante/Fábrica
Rango de Negocios:
Metalurgia, Mineral y Energía, Producto Eléctrico y Electrónico
Certificación del Sistema de Gestión:
ISO 9001
Productos Principales:
Gan Gan a granel sustrato, Oblea, Ld, LED, Hemt Gan
Introducción de Empresa:
Suzhou Nanowin Ciencia y Tecnología Co, Ltd (NANOWIN) fundada en el Parque Industrial de Suzhou, China, en mayo de 2007, es una empresa de alta tecnología dedicando a la fabricación de alta calidad de nitruro de galio (GaN) sustratos y desarrollar las tecnologías relacionadas.
La ventaja clave es NANOWIN materiales inigualable experiencia que poseen patentes esenciales en la GaN sustratos y las tecnologías de crecimiento. NANOWIN ofrece estándar y personalizados de pie de la GaN sustratos y espesor de la GAN/sapphire plantillas con muy baja densidad de dislocaciones, que son adecuados para aplicaciones en alta potencia LED, blue LD y gran potencia de los aparatos eléctricos y electrónicos. Los principales productos de NANOWIN son de 2 pulgadas de la GAN/plantillas de zafiro con la GaN el grosor de 15 a 90 micras, de 2 pulgadas de pie de la GaN sustratos con alrededor de 350 micras de espesor y densidad de dislocaciones cara Ga dentro de 106 cm-2, la pequeña plaza (1~2 centímetros de longitud lateral/1pulg./1.5inch/1.8inch) libre data sustratos GaN GaN no polares sustratos (A/m cara), de alta cristalinidad GaN en polvo y la AlN sustratos (PSS). Todas las plantillas de GaN y sustratos producida por NANOWIN incluyen tres categorías: N-type, undoped dopada y semi-dopado con aislante.
Nuestro objetivo estratégico es convertirse en un importante proveedor de nitruro de material semiconductor y un pionero en la industria de las aplicaciones de semiconductores de nitruro.
La ventaja clave es NANOWIN materiales inigualable experiencia que poseen patentes esenciales en la GaN sustratos y las tecnologías de crecimiento. NANOWIN ofrece estándar y personalizados de pie de la GaN sustratos y espesor de la GAN/sapphire plantillas con muy baja densidad de dislocaciones, que son adecuados para aplicaciones en alta potencia LED, blue LD y gran potencia de los aparatos eléctricos y electrónicos. Los principales productos de NANOWIN son de 2 pulgadas de la GAN/plantillas de zafiro con la GaN el grosor de 15 a 90 micras, de 2 pulgadas de pie de la GaN sustratos con alrededor de 350 micras de espesor y densidad de dislocaciones cara Ga dentro de 106 cm-2, la pequeña plaza (1~2 centímetros de longitud lateral/1pulg./1.5inch/1.8inch) libre data sustratos GaN GaN no polares sustratos (A/m cara), de alta cristalinidad GaN en polvo y la AlN sustratos (PSS). Todas las plantillas de GaN y sustratos producida por NANOWIN incluyen tres categorías: N-type, undoped dopada y semi-dopado con aislante.
Nuestro objetivo estratégico es convertirse en un importante proveedor de nitruro de material semiconductor y un pionero en la industria de las aplicaciones de semiconductores de nitruro.
