Contactar al Proveedor

Miss Joy Li

Também Poderá Querer

Cargando...
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N pictures & photos
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
  • La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N
Proceso de dar un título: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
Función: interruptor de transistor
Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
Favoritos

Também Poderá Querer

Cargando...

Enviar directamente tu consulta a este proveedor

*De:
*A:
avatar Miss Joy Li
*Mensaje:

Pone entre 20 y 4000 caracteres.

Esto no es lo que buscas? Publique Solicitud de Compra Ahora

Buscar Productos Similares Por Categoría

Página Web del Proveedor Productos Super Si2C imágenes del La mejora de transistor Sic el diodo de247 Ost80n65hewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-320Un Vce (SAT) -1.45V Qg-168nc IGBT de potencia de canal N