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Transistor Enhancement Sic Diode TO247 Ost75n65hswf Vces-650V Maximum Junction Temperature175, IC, Pulse-300A VCE (SAT) -1,5V QG-204nc N-Channel Power IGBT
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Proceso de dar un título:
RoHS, ISO
Forma:
De metal tubo de porcelana
Tipo de blindaje:
Corte abrupto del tubo de aislamiento
Método de enfriamiento:
Aire tubo enfriado
Función:
interruptor de transistor
Frecuencia de trabajo:
Alta frecuencia
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