Todas las categorías

Publicar Solicitud de Compra

Abastecimiento Fácil

Más conveniente, Más eficiente

Una solicitud, múltiples cotizaciones
Coincidencia de proveedores verificados
Comparación de cotizaciones y solicitud de muestra

Publicar Su Solicitud AHORA

Inicio Producto Eléctrico y Electrónico Tubo Electrónico y Transistor Otros Tubos Electrónicos y Transistores

Contactar al Proveedor

Miss Joy Li

Também Poderá Querer

Cargando...

Volver a la página del producto

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET pictures & photos

Proceso de dar un título:	RoHS, ISO
Forma:	De metal tubo de porcelana
Tipo de blindaje:	Corte abrupto del tubo de aislamiento
Método de enfriamiento:	Aire tubo enfriado
Frecuencia de trabajo:	Alta frecuencia
Estructura:	planar

Favoritos

Também Poderá Querer

Cargando...

Enviar directamente tu consulta a este proveedor

*De:

*A:

Miss Joy Li

*Mensaje:

Pone entre 20 y 4000 caracteres.

Esto no es lo que buscas?  Publique Solicitud de Compra Ahora

Personas que han visto esto también han visto

La industria automotriz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

La industria automotriz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

US$ 0,1-0,6 / Pieza

Buscar Productos Similares Por Categoría

Página Web del Proveedor Productos Super Si2C imágenes del Cargador PD mejor que el dispositivo Galium Nitride (GAN) en Operaciones de alta frecuencia Super Si MOSFET