Manufactura y proveedor chino de Igbt, ofreciendo 600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bml60n120UC1], Transistor de potencia de superjunción de alta eficiencia con bajo EMI y baja pérdida de conmutación, Bmd60n600c1, 600V 8A Mosfet Sj con baja pérdida de conmutación, baja EMI, 600 V, 20 a, 190 MΩ, [Bmf60n190c1], Transistor Mosfet Sj de Alta Eficiencia con Baja EMI y Pérdida de Conmutación Baja y así sucesivamente de calidad.