Irf630n transistor MOSFET de canal N con 200V 9.3A 3 pines (3+Tab)-220ab circuito integrado, los componentes electrónicos

• Proceso de dar un título: RoHS
• Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
• Instalación: soldadura
• Frecuencia de trabajo: estándar
• Nivel de potencia: estándar
• Estructura: ic
• No. de Modelo.: IRF630N
• Material: plástico, hierro
• tensión nominal (cc): 200 V
• corriente nominal: 9,30 a
• potencia disipada: 82 W
• tiempo de subida: 14,0 ns
• temperatura de funcionamiento: -55~175(celsius)
• embalaje: tubo
• Paquete de Transporte: Caja
• Especificación: TO-220
• Origen: Imagen original
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: 100000pieces/Years

Descripción de Producto

descripción de producto

Quinta generación de MOSFETs de potencia HEXFET® de International Rectifier utilizar técnicas avanzadas de procesamiento para lograr la extremadamente baja de resistencia por el área de silicio. Este beneficio, junto con la velocidad de conmutación rápida y resistente diseño del dispositivo que MOSFETs de potencia HEXFET son bien conocidas, proporciona el diseñador con una muy eficiente y confiable para el uso de dispositivos en una amplia variedad de aplicaciones.
El PAQUETE TO-220 es universalmente preferida para todas las aplicaciones industriales y comerciales en los niveles de la disipación de energía a unos 50 vatios. La baja resistencia térmica y paquete de bajo costo de la A-220 de contribuir a su amplia aceptación en toda la industria. La D2Pak es un paquete de energía de montaje en superficie capaz de albergar morir hexagonal tamaños hasta A-4. Proporciona la máxima capacidad de energía y el más bajo posible onresistance en cualquier paquete de montaje en superficie existente. La D2Pak es adecuado para aplicaciones de alta corriente debido a su baja resistencia a la conexión interna y puede disipar hasta 2,0 W en una típica aplicación de montaje en superficie. El orificio de la versión (IRF630NL lowprofile) está disponible para la aplicación.
 

parametros de producto

Características
•  Tecnología de proceso avanzada
•  Clasificación de dv/dt dinámico
• A  175°C la temperatura de funcionamiento
• El  cambio rápido
• Completamente nominal de avalancha
•  Facilidad de paralelo  
• Requisitos de la unidad simple


 

Fotos detalladas

 

Nuestras ventajas

¿Por qué elegir nosotros :
Ventaja:
1.Producir gama
Yangjiang RUIXIAO Enterprise Co, Ltd,grandes en el componente electrónico , que tienen una amplia gama de productos
Como la resistencia de IC,  mosfet condensador , , , diodos, módulo , LED, relé, pantalla lcd. placa PCB . etc..  la marca implica:Fuerte, el poder, , NS, ST , IR, de Vishay , TOSHIBA, Fairchild,MICROCHIP, ATMEL,EVERYLIGHT todo tipo  de componente electrónico que será necesario encontrar  aquí.
2.Ámbito de aplicación
El producto  es ampliamente utilizado en el control de la industria automotriz industria de energía,nueva,audio,Electrodomésticos equipo,de la industria de la comunicación.puede  satisfacer las necesidades de clientes

3.SERVICIO:
Con los  "usuarios en primer lugar, el cliente primero", lema de la Empresa Garantía de calidad ,  precio económico , hora de entrega rápida es la única fe. Haremos nuestro mejor esfuerzo para hacer de cada cliente para disfrutar de  los más flexibles, eficientes  servicios.Se sincera esperanza de que podemos buscar el desarrollo común y la cooperación con  el cliente juntos para lograr una situación win-win.
 

Embalaje y envío

Logística:
Podemos enviar la mercancía al país del cliente directamente por el de la logística internacional.  No importa enviar por aire o mar.  
Haremos nuestro mejor esfuerzo para que el cliente para obtener el paquete más conveniente .
(Tomó nota:No tiene  ninguna honorarios e impuestos de los costes de transporte).