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El transistor de efecto de campo MOS es un transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor, abreviado como MOSFET (transistor de efecto de campo-óxido-metal-semiconductor, es decir , un transistor de efecto de campo de un semiconductor-óxido-metal), que pertenece al tipo de puerta aislada. Hay una capa aislante de dióxido de silicio entre la puerta de metal y el canal, por lo que tiene una resistencia de entrada muy alta (hasta 1015Ω). También se divide en tubo de canal N y tubo de canal P. Normalmente, el sustrato (sustrato) y la fuente S están conectados entre sí.
Según los diferentes modos de conducción, MOSFET se divide en tipo de mejora y tipo de agotamiento. El llamado tipo mejorado se refiere a: Cuando VGS=0, el tubo está en un estado apagado; después de agregar el VGS correcto, la mayoría de los portadores se atraen a la puerta, por lo tanto "mejorando" los portadores en esta área y formando un canal conductor Tao. El tipo de agotamiento significa que cuando VGS=0, se forma un canal, y cuando se añade el VGS correcto, la mayoría de los portadores pueden fluir fuera del canal, así "agotando" los portadores y apagando el tubo.
Tomando como ejemplo el canal N, se realiza sobre un sustrato de silicio de tipo P con dos regiones de difusión de la fuente N+ y regiones de difusión de drenaje N+ con una alta concentración de dopaje, y luego la fuente S y el drenaje D se sacan respectivamente. La fuente y el sustrato están conectados internamente, y los dos siempre mantienen el mismo potencial. La dirección del potencial es desde el exterior hasta el interior, lo que significa desde el material tipo P (sustrato) hasta el canal tipo N. Cuando el drenaje está conectado al polo positivo de la fuente de alimentación y la fuente está conectada al polo negativo de la fuente de alimentación y VGS=0, la corriente del canal (es decir, la corriente de drenaje) ID=0. Con el aumento gradual de VGS, atraídos por el voltaje positivo de la puerta, se inducen portadores minoritarios con carga negativa entre las dos regiones de difusión, formando un canal de tipo N desde el drenaje a la fuente. Cuando VGS es mayor que el tubo cuando se alcanza el voltaje de encendido VTN (generalmente alrededor de +2V), el tubo del canal N comienza a conducir, formando un ID de corriente de drenaje.
• tensión de red sur UG
• controlar su ID de corriente de drenaje
• Alta impedancia de entrada
• bajo nivel de ruido
• amplio rango dinámico
• bajo consumo de energía
• fácil de integrar
• el tubo de efecto de campo puede usarse para amplificación. Debido a que la impedancia de entrada del amplificador de tubo de efecto de campo es muy alta, el condensador de acoplamiento puede tener una capacidad más pequeña, y es innecesario utilizar un condensador electrolítico.
• la alta impedancia de entrada del tubo de efecto de campo es muy adecuada para la transformación de impedancia. Se utiliza a menudo para conversión de impedancia en la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
• el tubo de efecto de campo puede usarse como resistencia variable.
• el tubo de efecto de campo puede utilizarse cómodamente como fuente de corriente constante.
• el tubo de efecto de campo puede usarse como interruptor electrónico.
1. Preparación:
Antes de medir, cortocircuite el cuerpo humano a tierra antes de tocar las patillas del MOSFET. Es mejor conectar un cable a la muñeca para conectar con la tierra, de modo que el cuerpo humano y la tierra mantengan un equipotencial. Separe las patillas de nuevo y, a continuación, retire los cables.
2. Determine el electrodo:
Ajuste el multímetro al engranaje R×100 y determine primero la rejilla. Si la resistencia de un pin y otros pines son ambos infinitos, prueba que este pin es la red G. cambie los cables de prueba y mida de nuevo, el valor de resistencia entre S-D debe ser de varios cientos de ohmios a varios miles de ohmios. El cable de prueba negro se conecta al polo D y el cable de prueba rojo se conecta al polo S en el momento con el valor de resistencia menor. Para los productos de la serie 3SK producidos en Japón, el polo S está conectado a la carcasa, por lo que es fácil determinar el polo S.
3. Comprobar la capacidad de amplificación (transconductancia):
Cuelgue el polo G en el aire, conecte el cable negro de prueba al polo D y el cable rojo de prueba al polo S y, a continuación, toque el polo G con el dedo, la aguja debe tener una deflexión mayor. El transistor de efecto de campo MOS de doble puerta tiene dos puertas G1 y G2. Para distinguir, puedes tocar los G2 y G1 polos con tus manos, y el G2 polo es el que tiene la mayor deflexión de la mano a la izquierda.
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