forma: | SMD |
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Técnica: | Semiconductor IC |
paquete: | soic-8 |
voltaje: | 10v ~ 20v |
número de puertos de salida: | 1 |
método de instalación: | montaje en superficie |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
La IR2118S es una alta tensión, alta speedpower MOSFET y controlador de IGBT. Especialidades HVIC andlatch CMOS inmune ruggedizedmonolithic tecnologías permiten la construcción. La lógica de entrada es compatible con las salidas de CMOS estándar. El controlador de salida fea-tures un pulso de alta área de influencia actual etapa diseñado forminimum conducción transversal. El canal de flotación se puedeutilizar para conducir un MOSFET de canal N O IGBTin alta o baja de la configuración que opera hasta 600 voltios.
1.esquema Pin :
2.Condiciones de funcionamiento recomendadas:
La entrada/salida lógica diagrama de distribución se muestra en la figura 1. Para el correcto funcionamiento del dispositivo debe ser utilizado en therecommended condiciones. El VS se ha probado con calificación de desplazamiento de todos los suministros parciales a 15V diferencial.
3.Características eléctricas:
4.Diagrama de bloques funcionales:
• Canal flotante diseñado para la operación bootstrap plenamente operativa a +600V tolerantes a transitorios de tensión negativa inmune dV/dt
• Unidad de puerta de la gama de alimentación de 10 a 20V
• Bloqueo subtensión
• El CMOS activadas por Schmitt entradas con pull-down
• Salida en la fase con la entrada (IR2117) o fuera de fase con la entrada (IR2118)
• También disponibles, libres de plomo
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Ventaja:
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