| forma: | INMERSIÓN |
|---|---|
| Tipo de conductor: | Bipolar Circuito Integrado |
| Técnica: | Semiconductor IC |
| voltaje: | 2500v |
| temperatura de funcionamiento: | -40~ 125(celsius) |
| frecuencia de trabajo: | 1-20khz |
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El módulo de alimentación igbt es un módulo de alimentación compuesto por transistores bipolares de puerta aislada (igbt). Debido a que el módulo igbt es una estructura mosfet, la puerta del igbt está eléctricamente aislada del emisor a través de una capa de película de óxido, que tiene un excelente rendimiento del dispositivo. Se utiliza ampliamente en servomotores, convertidores de frecuencia, aparatos domésticos de conversión de frecuencia y otros campos. El módulo de alimentación igbt es un control de tipo tensión, con gran impedancia de entrada, baja potencia de accionamiento, circuito de control sencillo, baja pérdida de conmutación, velocidad de conmutación rápida, alta frecuencia de funcionamiento, gran capacidad de componentes y otras ventajas. Es esencialmente un dispositivo de potencia compuesto, que integra las ventajas de los transistores de potencia bipolar y mosfet de potencia. Y debido a la tecnología de procesamiento avanzada, tiene baja tensión de saturación en estado on y alta frecuencia de conmutación (hasta 20kHz), estas dos características muy significativas.
• Control de tipo de tensión
• Gran impedancia de entrada
• Baja potencia de conducción
• circuito de control simple
• pérdida de conmutación baja
• encendido y apagado rápido
• Alta frecuencia de trabajo
• Gran capacidad de componentes
1.Diagrama de pines: 
2. Clasificaciones máximas absolutas:
3. Características eléctricas estáticas:
4. Clasificaciones dinámicas:
por qué elegirnos:
ventaja:
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