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256MB módulo de lectura y escritura rápida de memoria Flash NOR

Capacidad De Almacenamiento: 2-4G
Tipo de interfaz: Pin
Forma: Carton
Material: Cerámica
Abrir Estilo: Apertura
USB tipo: Disco USB de Creative

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Fabricante/Fábrica & Empresa Comercial
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Visión General

Información Básica.

Color
Gold
Función
USB Disk Storage
Control de seguridad
Seguridad Soporte Check
Paquete de Transporte
Box
Especificación
15.5 x 21.6 /2.54 mm
Marca Comercial
ZITN
Origen
China.
Código del HS
8523511000
Capacidad de Producción
20000

Descripción de Producto



256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

descripción de producto

256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
Memoria flash NAND de alta resistencia a temperatura
LDMF1GA /4GA


El chip es una memoria NAND-Flash de alta temperatura, con lectura y escritura rápidas, alta fiabilidad, excelentes características de rendimiento tanto a alta como a baja temperatura. Puede operar en -45 ºC ~ 175 ºC en ambientes severos para largo plazo.

Temperatura de funcionamiento: -45ºC ~ +175ºC.
La corriente de funcionamiento más alta: 90mA
Corriente en espera: <2mA
Rango de tensión de funcionamiento (Vcc): 2,7 V ~ 3,6 V.
Nivel alto de entrada (V): 0,8Vcc ~ Vcc+0,3
Nivel bajo de entrada (V): -0,3 ~ 0,2Vcc
Salida nivel alto (V): 2,4 ~ Vcc
Salida nivel bajo (V): -0,3 ~ 0,4
Tiempo de retención de datos de alta temperatura: ≥500h
Vida útil: ≥2000h
Velocidad de lectura/escritura: 2,8 ms/página de lectura 2,15ms/página de escritura
Paquete: 16 PIN DIP PB-Free paquete

 

parametros de producto

256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

Descripción de PIN:

PIN Descripción funcional
IO0 ~ IO7 Entrada / salida multiplexada
La dirección de transferencia bidireccional de E/S, datos e información de comandos.
Cuando el pin C(-)E(-) es alto,el I/OS es de alta impedancia.
¿NO Activar cierre de comando
Cuando CLE es alto, el comando se bloquea en el registro de comandos a través del puerto IO en el borde ascendente de la señal.
ALE Activación del pestillo de dirección
Cuando ALE es alto,la dirección se bloquea en el registro de direcciones a través del puerto IO en el borde ascendente de la señal.
C(-)E(-) Habilitar chip
Activa o desactiva el chip.
R(-)E(-) Activar lectura
Controlar la salida de datos en serie. Cuando la señal es baja, los datos se dirigan al puerto IO. Los datos son válidos después de la hora de trea en el borde descendente de R(-)E(-), y el contador de direcciones de columna interno se incrementa automáticamente.
W(-)E(-) Escritura activada
Control la entrada de datos serie, comando, dirección y datos se bloquea en el borde ascendente W(-)E(-).
R/B(-) Salida preparada/ocupada
Indica el estado de funcionamiento del dispositivo. Cuando está bajo, indica que la programación, borrado o operación de lectura aleatoria está en curso, cuando está alto, indica que no ha terminado ninguna operación. Se recomienda conectar una resistencia de tiro (4,7K~10K) al pasador.
CC Fuente de alimentación
VSS TIERRA
Ciclo de direccionamiento:

LDMF1GA:
Direccionamiento IO 0 IO 1 IO 2 IO 3 IO 4 IO 5 IO 6 IO 7  
ciclo 1st CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 Columna Dirección 1
ciclo 2nd CA8 CA9 CA10 CA11 0 0 0 0 Dirección de columna 2
ciclo 3rd PA0 PA1 PA2 PA3 PA4 PA5 PA6 BA7 Dirección de hilera 1
ciclo 4th BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Dirección de hilera 2
ciclo 5th BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Dirección de hilera 3
Notas: 1. CAX = dirección de columna, pax = dirección de página, Bax = dirección de bloque, la dirección de página, dirección de bloque llamada dirección de fila. Dirección de byte de la página denominada dirección de columna
Tamaño de página x8: 8640 bytes (2048 + 64 bytes)
Tamaño del bloque: 128 páginas (1024K + 8K bytes)
Número de bloque: 4096 bloques

LDMF4GA:
Direccionamiento IO 0 IO 1 IO 2 IO 3 IO 4 IO 5 IO 6 IO 7  
ciclo 1st CA0 CA1 CA2 CA3 CA4 CA5 CA6 CA7 Columna Dirección 1
ciclo 2nd CA8 CA9 CA10 CA11 CA12 CA13 0 0 Dirección de columna 2
ciclo 3rd PA0 PA1 PA2 PA3 PA4 PA5 PA6 BA7 Dirección de hilera 1
ciclo 4th BA8 BA9 BA10 BA11 BA12 BA13 BA14 BA15 Dirección de hilera 2
ciclo 5th BA16 BA17 BA18 0 0 0 0 0 Dirección de hilera 3
Notas: 1. CAX = dirección de columna, pax = dirección de página, Bax = dirección de bloque, la dirección de página, dirección de bloque llamada dirección de fila. Dirección de byte de la página denominada dirección de columna
Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
Tamaño del bloque: 128 páginas (1024K + 56K bytes)
Número de bloque: 4096 bloques

Lista de instrucciones:
Función ciclo 1st ciclo 2nd
Restablecer FFH -
Leer 00h 30h
Programa de páginas 80h 10h
Borrar bloque 60h D0h

Gestión de bloques no válida
Todas las ubicaciones del dispositivo se borran (0xFF) excepto la ubicación de la dirección en bloque no válido cuando se envía de fábrica. El indicador de bloque no válido se encuentra en el primer byte del área de repuesto de la última página del bloque. Los datos de bloque no válidos no son 0xFF. El sistema debe establecer una administración de bloques no válida para evitar el uso de bloques no válidos. La dirección de inicio del primer bloque es 0000h, que se garantiza que es válido enviado desde la fábrica.
La tabla de bloques incorrecta se crea mediante el siguiente diagrama de flujo (a continuación).


Pasos de funcionamiento:
1. Se ha producido un error en la página n del bloque A durante la operación de borrado o programación.copie los datos de la primera página a la (n-1) -ésima página del bloque A en la misma posición en el otro bloque vacío B.copie los datos del búfer deben guardarse en la n-ésima página Posición del bloque B.Agregue el bloque A a la tabla de bloques defectuosos.
  1. Ciclo de bloqueo de comando
  2. Secuencia de ciclo de bloqueo de dirección
  3. Los datos de entrada se enganchan en la secuencia de ciclo
  4. Secuencia de ciclo de bloqueos de datos de salida
  5. Instrucciones del sistema
Operación de lectura:
La operación de lectura se implementa escribiendo el comando 00h-30h en el registro de comandos. Primero, escriba el comando 00h, luego escriba la dirección con 5 ciclos, y por último, escriba el comando 30h. Después de la finalización, se libera el R/B(-). El usuario determina la finalización de la transmisión interna de datos detectando el estado de R/B(-). Una vez finalizada la transmisión, el usuario puede iniciar LA RE, los datos se leen continuamente.
La secuencia de operación de lectura es la siguiente.


Operación de programación:
Antes de programar la operación, el usuario debe borrar el bloque en primer lugar. La operación de programación se implementa escribiendo el comando 80h-10h en el registro de comandos. Primero escriba el comando 80h, luego escriba la dirección con 5 ciclos, y luego cargue los datos en el registro interno del buffer de datos, por último, escriba 10h después de completar el comando para confirmar la escritura. Después de la finalización de la programación, se libera el R/B(-).
Programación de la secuencia de operaciones


Operación de borrado:
El comando de operación de borrado es 60h-D0h. Primero escriba el comando 60h, luego escriba la dirección con 3 ciclos y luego escriba el comando D0h para confirmar el borrado. Después de terminar el borrado, R/B(-) se libera.

Borrar secuencia de operación

Operación de restablec. Restablecer secuencia de operación

Nota: Si la operación de escritura de datos en la página antes de completar la entrada del comando de restauración, puede causar daños en los datos, el daño no es sólo la programación de páginas, también puede afectar a las páginas adyacentes.

Instrucciones secuenciales (-45ºC~175ºC):a medida que aumenta la temperatura, la velocidad de respuesta del dispositivo después de la operación puede ralentizarse.secuencia de ejecución de programa de usuario una cierta cantidad de tolerancia, sugiere aumentar la estabilidad de alta temperatura.

Lista de parámetros de temporización(25ºC):
Símbolo MÍN Estándar MÁX Unidades Descripción
Programa   0,8 3 sra. Tiempo del programa de páginas
TBERS   1,5 10 sra. Bloquear tiempo de borrado
TCLS 15     no  
TCLH 5     no  
TCS 20     no  
TCH 5     no  
TWP 15     no  
TALS 15     no  
ALH 5     no  
TDS 15     no  
TDH 5     no  
TWC 30     no  
TWh 10     no  
TADL 70     no  
TR     60 μs  
Tar 10     no  
TCLR 10     no  
TRR 20     no  
TRP 15     no  
Balance de blancos     100 no  
TRC 30     no  
Trea     20 no  
TCEA     25 no  
TRHZ     100 no  
TCHZ     30 no  
TCSD 10     no  
TRHOH 15     no  
TRLOH 5     no  
TCOH 15     no  
El treh 10     no  
TIR 0     no  
TRHW 100     no  
TFHR 60     no  
Trst     5/10/500 μs Lectura/programación/borrado
256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module
256MB Nor Flash Memory Fast Read and Write Module

Perfil de la empresa

ZITN es una empresa nacional de alta tecnología, fue fundada en 2002 por muchos ingenieros de alta tecnología que tienen una vasta experiencia en la industria microelectrónica. Con 19 años de desarrollo, ZITN se convirtió en un líder reconocido de la industria en China, y tenemos un total de 175 empleados, más del 49% de ellos son del equipo de I+D. Principalmente diseñamos, desarrollamos y fabricamos inclinómetros de alta precisión, acelerómetros basados en cuarzo, sistemas de unidades de medida inercial, productos de circuitos IF y memoria flash NAND que se utilizan ampliamente para la industria aeroespacial, perforación de petróleo y gas, campos de exploración geológica.
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Nuestras ventajas

a. Experiencia en el desarrollo y fabricación de sensores de alta gama IC de película gruesa híbrida más de 19 años.
b. Patentes de invención más de 40 proyectos.
c. Institución científica, base de producción de más de 20000 metros cuadrados.
d. Más del 49% de los empleados pertenecen al equipo de I+D.
e. Nuevos clientes cooperantes más de than1000 en los últimos 3 años.
f. capacidad de producción más de 100000/año;
g. Las soluciones profesionales de preventa, guía de posventa, pueden proporcionarse en función de las consultas de los clientes.
h. Servicio personalizado.



Volumen en miniatura ! ¡Tecnología creativa independiente!
De la producción del servocircuito para assegar los sensores en una parada .


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Embalaje y envío

Caja antiestática personalizada.
Entrega por vía rápida (DHL, FedEx, TNT, UPS, etc...)
fecha de entrega dentro de los 7-10 días siguientes al envío de nuestra fábrica.

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PREGUNTAS FRECUENTES

¿Qué tipo de servicio puede prestar?
Excepto el modelo stanadrd, también podemos proporcionar los productos acordados con los requisitos detallados de los clientes, como calibración, reparación, actualización, etc...


¿Qué tipo de prueba del producto se realizará antes de salir de la fábrica?
Tenemos un estricto sistema de control de calidad para garantizar el rendimiento del producto, como el sistema de calibración de plato giratorio no magnético, sistema de prueba de choque y vibración, sistema de prueba de ciclo de temperatura, etc...


¿Puedo obtener una muestra para la evaluación?
Sí, estamos dispuestos a proporcionar la muestra para la evaluación y guiarle para cualquier pregunta técnica en todo el proceso.

¿Cuáles son las opciones de entrega que puedo elegir?
Podemos proporcionar el servicio de entrega urgente de la aerolínea, como DHL/FedEx/TNT Express, normalmente de 7 a 10 días para el transporte necesario.

¿Puedo visitar a su empresa si estoy interesado?
Sí, nuestra empresa se encuentra en la ciudad de Qingdao, tenemos más de 175 empleados aquí, incluidos el I+D, producción, Finanzas, Marketing, etc...


Para obtener información más detallada, por favor, póngase en contacto con nosotros, por favor envíe la consulta a nuestro gerente de ventas directamente!
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