Mosfet de potencia 8N60

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3. Tenemos nuestra propia marca de semiconductores-"LJ" que es el "2011 China 10 empresas de semiconductores en Electronics Co., Ltd. "
4. Nosotros le proporcionaremos los productos calificados al mejor precio.
8N60 MOSFET de canal N



Envío
1. - Podemos enviar los productos en todo el mundo.
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3. - El tema será enviada a 3 días después de recibir el pago.
4. - Asegúrese de que su dirección de entrega y telefono de contacto son correctos cuando pujas el tema.
5. - Usted puede seguir la situación de su producto en el sitio web después de haber sido enviado.
El comprador lectura
1. Por favor confirmar la recepción de productos, si los artículos que has recibido, y si la mercancía fue dañado por favor, póngase en contacto con nosotros inmediatamente. Enviar la foto a nosotros que podemos controlar y ofrecerle la mejor solución.

2. Sólo nos garantiza la entrega a tiempo, pero no hemos podido controlar la hora de entrega express. Las ventas relacionadas con nuestra persona será responsable de enviar el AWB para los bienes entregados en la próxima jornada de trabajo. Puede comprobar el AWB en el sitio web, que enviamos a usted. Para el AWB también puede llamar a la rama local de la express empresa de su empresa.

Nuestro servicio de
garantía:
1. - Un año de garantía.
2. - Si el elemento defectuoso tras la recepción, debe estar dentro de 7 días desde la fecha de recepción para el intercambio uno nuevo (el comprador debería devolver todo original y en buen estado los elementos de re-vendible condición).
3. - Ofrecemos servicio de reparación gratuito dentro de un año de la compra. En las primeras 1 mes, vamos a pagar un costo de envío forma( desde nosotros a su ubicación); después de 1 mes de la compra, el comprador deberá pagar dos maneras de costo de envío.
4. - Tenemos los elementos devueltos, enviaremos el sustituido que tan pronto como sea posible.
5. - Nuestra garantía no se extienda a los productos que están físicamente dañado o bajo condiciones normales de funcionamiento de la ONU como consecuencia del mal uso o instalación incorrecta de las partes.
Descripción general
Este avanzado MOSFET de alta tensión está diseñada para reposar la
alta energía en el modo de avalancha y cambiar de forma eficiente. Este nuevo
dispositivo de alta energía también ofrece un drenaje de diodo fuente rápido
tiempo de recuperación. Desighed para alta tensión,
aplicaciones de conmutación de alta velocidad como fuentes de alimentación, convertidores de energía,
controles del motor y el puente de los circuitos.
Característica de
Alta Intensidad
Z Z menor RDS(on)
Z menor capacitancia de
Carga Puerta Total inferior Z
Z
Z avalancha más estrictas especificaciones VSD especificados de energía