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| Personalización: | Disponible |
|---|---|
| Uso: | Computadora |
| Tipo: | Inalámbrico |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Auditado por una agencia de inspección externa independiente
| La especificación | ANet-1E1S1 | ANet-1E1S1 -LR |
ANet-1E1S1 -4G |
ANet-1E1S1 -4G/LR |
ANet-1E2S1 | ANet-1E2S1 -LR |
ANet-1E2S1 -4G |
ANet-1E2S1 -4G/LR |
ANet-2E4S1 | ANet-2E8S1 |
| Uplink | CE | CE | La CE, 4G | La CE, 4G | CE | CE | La CE, 4G | La CE, 4G | CE | CE |
| Descendente | RS485. | RS485, LORA | RS485. | RS485, LORA | RS485. | RS485, LORA | RS485. | RS485, LORA | RS485. | RS485. |
| Puerto Ethernet | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | |
| Puerto serie | 1 | 1 | 1 | 2 | 2 | 2 | 2 | 4 | 8 | |
| Técnico | Index |
| Voltaje de alimentación | 85 V CA ~265 V |
| El consumo de energía | ≤10W |
| Elemento de procesamiento | ARM32 dígitos escala libre ARM9 i.MX2xx 454MHz |
| La memoria de la junta interior | 64MB de memoria DDR2 de memoria interna + 128MB NAND Flash + 8G tarjeta SD de disco duro Electrónica |
| Interfaz de serie | Dos canales de aislamiento de acoplamiento RS485. |
| La interfaz Ethernet | El canal 1 puertos 10/100 auto-capacidad de adaptación |
| La interfaz de tarjeta SD | Admite tarjetas de memoria SD/MMC de no menos de 512 m, soporta caliente y plug-and-play de los puntos de interrupción para continuar con el almacenamiento de datos |
| La seguridad | La frecuencia de poder soportar la tensión: AC 2kV 1min entre la terminal de comunicación y fuente de alimentación auxiliar |
| La resistencia de aislamiento: entrada, salida a la forma>100MΩ | |
| Medio ambiente | La temperatura de trabajo:-20ºC~+55ºC |
| Transporte de almacenamiento temperatura:-25ºC~+70ºC | |
| Humedad relativa:≤95%(+25ºC) | |
| Altitud:≤2500m | |
| Pruebas EMC | IEC61000-4-2 Test de inmunidad de la ESD Clase 4. |
| IEC61000-4-4 de la prueba de resistencia eléctrica del grupo de impulsos transitorios rápidos clase 4. | |
| IEC61000-4-5 transitorios (shock) prueba de inmunidad de clase 4. | |
| IEC61000-4-6 perturbación conductoras de la inmunidad de campo de radiofrecuencia de la Clase 3 de inducción |





