| materiales: | nitruro de galio |
|---|---|
| grosor: | 3-4um o 20um |
| tamaño: | 2inch o 4inch |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
Proveedor Auditado Auditado por una agencia de inspección externa independiente
| XRD-AAM | 002 | 102 |
| 3-4μm de GaN/Sapphire | 200-300 | 250-450 |
| El tema | GaN-FS-C-U-C50 | GaN-FS-C-N-C50 | GaN-FS-C-SI-C50 |
| Dimensiones | Ф 50,8 mm ± 1 mm. | ||
| Grosor | 350 ± 25 µm | ||
| Superficie utilizable | > 90% | ||
| La orientación | Plano C (0001) en ángulo hacia el eje M 0,35°± 0,15° | ||
| Plano de orientación | (1-100) ± 0,5°, de 16.0 ± 1.0 mm | ||
| Plano de orientación secundaria | (11-20) ± 3°, de 8,0 ± 1,0 mm | ||
| Variación de espesor total | ≤ 15 µm | ||
| BOW | ≤ 20 µm | ||
| Tipo de conducción | Tipo N (Undoped) |
Tipo N (Ge-dopado) |
Semi-Insulating (Fe-dopado) |
| La resistividad(300K) | < 0,5 Ω·cm. | < 0,05 Ω·cm. | >106 Ω·cm. |
| Densidad de dislocaciones | 1~9x105 cm-2 | 5x105 cm-2 ~3x106 cm-2 |
1~9x105 cm-2 |
| 1~3x106 cm-2 | 1~3x106 cm-2 | ||
| El pulido | La superficie frontal: Ra < 0,2 nm. Epi-listo pulido La superficie trasera: Fina tierra |
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| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia clase 100, en la única oblea contenedores, en virtud de una atmósfera de nitrógeno. | ||
| El tema | GaN-T-C-U-C100 | GaN-T-C-N-C100 |
| Dimensiones | Ф 100 mm ± 0,1 mm | |
| Grosor | 4 µm, de 20 µm | |
| La orientación | Plano C(0001) ± 0,5° | |
| Tipo de conducción | Tipo N (Undoped) |
Tipo N (Si-dopado) |
| La resistividad de 300K | < 0,5 Ω·cm. | < 0,05 Ω·cm. |
| La concentración de portadora | < 5x1017 CM-3 | > 1x1018 CM-3 |
| La movilidad | ~ 300cm2/V·s | ~ 200 cm2/V·s |
| Densidad de dislocaciones | A menos de 5x108 cm-2 | |
| Estructura del sustrato | GaN en el zafiro(Estándar: SSP Opción: DSP) | |
| Superficie utilizable | > 90% | |
| Paquete | Empaquetado en un ambiente de sala limpia clase 100, en casetes de 25pcs o única oblea contenedores, en virtud de una atmósfera de nitrógeno. | |
Exposición en el extranjero
