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Sustratos de GAN independientes

Tecnología de Fabricación: Semiconductores Optoelectrónicos
Material: Semiconductor Compuesto
Tipo: Semiconductor de Tipo N
Aplicación: Televisión
Marca: Finewin
materiales: sustratos de nitruro de galio

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Miembro de Oro Desde 2018

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Clasificación: 5.0/5
Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
FW-GaN
grosor
350um
tamaño
2inch a 4 pulgadas
Paquete de Transporte
Box
Especificación
2INCH
Marca Comercial
FineWin
Origen
Jiaozuo City Henan Province
Capacidad de Producción
1000 PCS/Month

Descripción de Producto

Sustratos de GAN independientes

1. ¿Qué son los sustratos GAN
El nitruro de galio es un tipo de semiconductores compuestos de gran separación. Está hecho con el método original HVPE y la tecnología de procesamiento de obleas, que se ha desarrollado originalmente durante muchos años.

2.aplicación
 
Diodos láser para reproductores de Blu-ray Disc™ y proyectores de luz
Aplicación futura: GAN PN-diodo con alta tensión de ruptura superior a 3.000V y baja resistencia de encendido de 1MΩ·cm2
dispositivos optoelectrónicos y electrónicos de larga duración, eficientes y fiables
LED de alto brillo para iluminación general y transistores de alta potencia y alta frecuencia para estaciones base de teléfonos móviles y aplicaciones de defensa.

3.producto disponible

2"sustratos GAN  
piezas pequeñas (10*10,5mm) para su uso de prueba
Plantilla GAN con capa de tipo n altamente dopada (n=<1e19/cm3)
Los sustratos ntype (sin ciclar), ntype (GE dopado) y semi-aislante (Fe dopado) están disponibles
Sustratos GAN no polares y semipolares



4. Características
 alto cristalino, buena uniformidad, y calidad superior de la superficie
XRD-FWHM 002 102
350μm FSGaN 25-45 20-55
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED
5. Especificación
 Elemento GAN-FS-C-U-C50 GAN-FS-C-N-C50 GAN-FS-C-SI-C50
Dimensiones Ф 50,8 mm ± 1 mm
Grosor 350 ± 25 µm
Área de superficie utilizable > 90%
Orientación Plano C (0001) ángulo de salida hacia el eje M 0,35°± 0,15°
Orientación plana (1-100) ± 0,5°, 16,0 ± 1,0 mm
Orientación secundaria plana (11-20) ± 3°, 8,0 ± 1,0 mm
TTV
(Variación de espesor total)
≤ 15 µm
ARCO ≤ 20 µm
Tipo de conducción Tipo N.
(Sin ciclomotor)
Tipo N.
(Dopado por GE)
Semi-aislante
(Fe-dopada)
Resistividad(300K < 0,5 Ω·cm < 0,05 Ω·cm >106 Ω·cm
Densidad de dislocación 1~9x105 cm-2 5x105 cm-2
~3x106 cm-2
1~9x105 cm-2
1~3x106 cm-2 1~3x106 cm-2
Pulido Superficie frontal: Ra < 0,2 nm. EPI-listo pulido
Superficie trasera: Terreno fino
Paquete Envasado en un entorno de sala limpia de clase 100, en recipientes de obleas individuales, bajo una atmósfera de nitrógeno.

6. Imágenes
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED

Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED

Exposición en el extranjero
Free-Standing GaN Substrates Wafers Used for LEDFree-Standing GaN Substrates Wafers Used for LED
PREGUNTAS FRECUENTES:

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R:(1) Aceptamos DHL, FedEx, TNT, UPS, EMS, etc.

   (2) Si tienes tu propia cuenta Express, es genial.Si no, podríamos ayudarte a enviarlas.  

 P: ¿Cómo pagar?

R: T/T, Paypal, etc

P: ¿Cuál es tu MOQ?

R:  (1) para el inventario, el MOQ es 5pcs.

   (2) para productos personalizados, el MOQ es 10pcs-25pcs.

P: ¿Qué es el hora de entrega?

R:  (1) para los productos estándar

          Para el inventario: La entrega es 5 días hábiles después de que usted haga el pedido.

          Para productos personalizados: La entrega es 2 o 3 semanas después de que usted haga el pedido.

     (2) para los productos de forma especial, la entrega es de 4 o 6 semanas de trabajo después de que usted haga el pedido.

P: ¿tiene productos estándar?

R: Nuestros productos estándar en stock.

P: ¿Puedo personalizar los productos en función de mi necesidad?

R: Sí, podemos personalizar el material, las especificaciones y el revestimiento óptico para sus componentes ópticos en función de sus necesidades.

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