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Garantía: | 1 años |
Uso: | Óptico |
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El tamaño | 5 mm x 5 mm x 70 mm; 5 mm x 5 mm x 100 mm; 6 mm x 6 mm x 100 mm. |
La resistividad | Más de 200 ohm · cm. |
El método de producción | FZ zona flotante (método) |
Elemento de dopaje | El Fósforo (P) |
La dirección de cristal | 111 |
Dopada con fósforo (P-dopado) cristales de las semillas son una técnica utilizada en el crecimiento de materiales semiconductores, especialmente de cristales de silicio. Durante el crecimiento de cristales de silicio, las propiedades eléctricas de silicio puede ser cambiado a partir de un semiconductor intrínseco a un semiconductor tipo N mediante la adición de átomos de fósforo al silicio.
El principio básico de fósforo dopados de cristal de semillas
El dopaje: En la fabricación de semiconductores, el dopaje es el proceso de la introducción de un pequeño número de átomos de impurezas en un material semiconductor puro con el propósito de cambiar el material de conductividad eléctrica. Como un elemento pentavalente, cuando se incorporen a un entramado de silicio del cuaternario, el átomo de fósforo tendrán un electrón, que se puede mover libremente, el aumento de la conductividad del material.
Semiconductor tipo N: cristales de silicio dopado con fósforo son semiconductores de tipo N, porque el exceso de electrones libres a ser el principal soporte de carga.
La aplicación de fósforo dopados de cristal de semillas
• Fabricación de dispositivos electrónicos: cristales de silicio dopado con fósforo son el material básico para la fabricación de varios dispositivos electrónicos (como los transistores, diodos, circuitos integrados, etc.).
• Las células solares: En la fabricación de células solares de silicio dopado con fósforo también es ampliamente utilizado para mejorar la eficiencia y rendimiento de las células.
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Q: ¿tienen los productos estándar?
R: Nuestros productos estándar en stock.
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R: Sí, podemos personalizar el material, especificaciones y recubrimiento óptico para sus componentes ópticos basados en sus necesidades.