2/4/6/8/12 Silicio tipo N de alta resistividad, dopado con P, dimensiones de oblea

• Aplicación: led
• Tipo: semiconductor intrínseco
• método de crecimiento: cz y fz
• No. de Modelo.: FW-CRYSTAL
• orientación: 111 o 100
• resistividad: 0,0005 a 150
• superficie: pulido de lado doble o pulido de lado único
• dopante: tipo n y tipo p
• partículas: <30 en 0,3um
• arco: < 30 um
• ttv: <15 um
• tecnología de fabricación: semiconductor optoelectrónico
• material: semiconductor compuesto
• paquete: smd
• procesamiento de señales: compuesto digital analógico y función
• Paquete de Transporte: caja
• Especificación: coestomizado
• Origen: Jiaozuo Henan
• Capacidad de Producción: 100, 000pcs/mes

Descripción de Producto

La función de comprar el espesor de 2/4/6/8/12 pulgadas de alta resistividad n de tipo p si diemensions oblea de silicio de DOP  

1.¿Qué es obleas de silicio de óxido y la aplicación:
La oblea de silicio de dióxido de térmica se refiere al crecimiento térmico de un dieléctrico uniforme película sobre la superficie de la oblea de silicio, que se utiliza como aislamiento o la máscara de material. El proceso de oxidación incluye seco de alta temperatura y alta temperatura de oxidación de Oxígeno El oxígeno húmedo la oxidación.


2. La fabricación de una oblea de silicio
La creciente de  lingotes de silicio puede tomar dondequiera a partir de una semana a un mes, dependiendo de muchos factores, incluyendo el tamaño, calidad y la especificación. Más del 75% de todas las obleas de silicio de cristal simple crecer mediante el método Czochralski (CZ).  

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5.PREGUNTAS FRECUENTES:

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R: Nuestros productos estándar en stock.

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