VDS-700V ID-12A RDS (ON) -1,4milliohm QG-6,7nc EV Cargador Solar/UPS Power MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• No. de Modelo.: TO252 OSG65R1K4DF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 37*37*29CM
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie genérica GreenMOS® está optimizada para un rendimiento de conmutación extremo para minimizar la pérdida de conmutación. Está diseñado para aplicaciones de alta densidad de potencia para cumplir con los estándares de eficiencia más altos.
 

Características

• RDS (on) y  FOM bajos
•  Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente estabilidad y  uniformidad

 

Aplicaciones

•  Alimentación del PC
• Iluminación LED
•  Energía de telecomunicaciones
•  Potencia del servidor
• Cargador EV
• Solar/UPS

 

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín. A TJ (máx.)	700	V
ID, pulso	12	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	1,4	Ω
P.	6,7	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG65R1K4DF	TO252	OSG65R1K4D

 

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1), TC=25 °C.	ID	4	R
Drenaje continuo current1), TC=100 °C.		2,5
Drenaje pulsado current2), TC=25 °C.	ID, pulso	12	R
Diodo continuo hacia adelante current1), TC=25 °C.	ES	4	R
Diodo pulsado current2), TC=25 °C.	ES, pulso	12	R
Potencia dissipation3), TC=25 °C.	PD	28,4	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	112	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

 

Características térmicas

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	4,4	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		700	770			VGS=0 V, ID=250 μA, TJ=150 °C.
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		1,2	1,4	Ω	VGS=10 V, ID=2 A.
			2,9			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.

 

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		259,9		PF	VGS=0 V, VDS=50  V, ƒ=1  MHz
Capacitancia de salida	COSS		21,1		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		0,9		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		30,9		no	VGS=10 V, VDS=380 V, RG=25 Ω, ID=4 A
Tiempo de subida	tr		20,7		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		56,3		no
Tiempo de caída	tf		28,7		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		6,7		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=4 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		1,5		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		3,2		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,4		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=4 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		162		no	VR=400 V, IS=4 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,2		μC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		7		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función  de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por  la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando  resistencia térmica de la caja de unión.
4. El  valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en  1  en    la placa 2 FR-4  con  2oz.  Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25  °C.
5. VDD=50 V, VGS=10 V, L=20 MH, TJ inicial=25  °C.

 

Cadena de suministro

Declaración de producto verde