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Shanghai Winture Electric Co., Ltd.

Shanghai, China

Tipo de Negocio:

Manufacturer/Factory, Trading Company

Productos Principales:

MOSFET Transistor Potencia Semi conductor , EV Cargador Potencia MOSFET Transistor Potencia Semi Co , Alta tensión Super Junction MOSFET Trans ISTOR , Nuevo vehículo de Energía DC carga MOSFET Transistor , 5g Estación base Fuente de Alimentación MOSFET Transistor , Inversor fotovoltaico MOSFET Transistor , almacenamiento de Energía MOSFET Transistor , servidor de Centro de datos MOSFET Transistor , MOSFET de potencia de iluminación industrial , MOSFET de potencia de carga dc , Tansistor

Capital Registrado:

10000000 RMB

Área de la Planta:

501~1000 square meters

Certificación del Sistema de Gestión:

ISO 9001, ISO 14001

Plazo de Ejecución Medio:

Peak Season Lead Time: one month
Off Season Lead Time: 3-6 months

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Manufactura y proveedor chino de MOSFET Transistor Potencia Semi conductor, EV Cargador Potencia MOSFET Transistor Potencia Semi Co, Alta tensión Super Junction MOSFET Trans ISTOR, Nuevo vehículo de Energía DC carga MOSFET Transistor, 5g Estación base Fuente de Alimentación MOSFET Transistor, Inversor fotovoltaico MOSFET Transistor, almacenamiento de Energía MOSFET Transistor, servidor de Centro de datos MOSFET Transistor, MOSFET de potencia de iluminación industrial, MOSFET de potencia de carga dc, Tansistor, ofreciendo La industria automotriz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT, Para aplicaciones de automoción Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT, Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT y así sucesivamente de calidad.

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A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor263 Ost50n65ktmf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-200Un Vce (SAT) -1.65V Qg-78nc IGBT de potencia de canal N

Precio FOB: US$ 0,2-0,6 / Pieza

Pedido Mínimo: 800 Piezas

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A modo de mejora de transistor Ost247-4L60n65H4ewf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, IC, pulso-240Un Vce (SAT) -1.45V Qg-105nc IGBT de potencia de canal N

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A modo de mejora de transistor247 Ost75n65hevf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, el IC-300A, el pulso de Vce (SAT) -1.45V Qg-235nc IGBT de potencia de canal N

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Pedido Mínimo: 330 Piezas

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A modo de mejora de transistor247 Ost120n65hemf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, la IC-480Pulso un Vce (SAT) -1.6V Qg-261nc IGBT de potencia de canal N

A modo de mejora de transistor247 Ost120n65hemf Vces-650V la máxima temperatura de unión175, la IC-480Pulso un Vce (SAT) -1.6V Qg-261nc IGBT de potencia de canal N

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La industria automotriz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

La industria automotriz Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Inversor General de alta fiabilidad de IGBT industrial y automoción

Inversor General de alta fiabilidad de IGBT industrial y automoción

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Transistores bipolares de puerta aislada IGBT

Transistores bipolares de puerta aislada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Transistor Bipolar Trident-Gate Automotive Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Acondicionador de energía eléctrica Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Acondicionador de energía eléctrica Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Efecto de disipación de calor materiales Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd incorporado-247N IGBT

Efecto de disipación de calor materiales Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd incorporado-247N IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Efecto de los materiales de disipación de calor Ost40n120hmf 10µ S IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Ost de automoción de la RoHS40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Colector bajo - tensión de saturación del emisor Ost40n120hmf 10µ S cortocircuito Tolerancia 1200V 40A Frd integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Colector bajo - tensión de saturación del emisor Ost40n120hmf 10µ S cortocircuito Tolerancia 1200V 40A Frd integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

Qualified to Aec-Q101 RoHS Automotive Ost40n120hmf 10µ S Short-Circuit Tolerance 1200V 40A Frd Built-in to-247n Field Stop Trench IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Fuentes de alimentación ininterrumpibles Ost40n120hmf 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A FRD integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Convertidores de inducción excelente pérdida de inducción y conmutación IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Tiempo de resistencia de circuito supercorto campo de parada de trinchera IGBT

Tiempo de resistencia de circuito supercorto campo de parada de trinchera IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Pb - Chapado de plomo libre compatible con RoHS Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Construido en muy rápido y la recuperación de software Frd Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Excelente pérdida de conducción y conmutación 10µ S tolerancia a cortocircuitos 1200V 40A Frd Ost40n120hmf to-247n Field Stop Trench IGBT

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Precio FOB: US$ 0,1-0,6 / Pieza

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Excelente estabilidad y uniformidad de los Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Rápido y suave Diodo Antiparallel Ost40N120hmf 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd integrado en el campo de la Trinchera-247n parada IGBT

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Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Extremadamente Baja Vce (SAT) 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

Carga de la puerta baja 10µ S Short-Circuit tolerancia 1200V 40A Frd Ost incorporada40N120hmf a-247n parada campo IGBT Trinchera

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