VDS-650V ID-108A RDS (ON) -99ohm MOSFET de potencia de canal N

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Overclocking
• No. de Modelo.: TO263 OSG60R099KSZF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

Descripción del producto

 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza    tecnología de equilibrio de carga  para  lograr   una resistencia a la entrada baja y     una carga de compuerta más baja.    Está diseñado  para  minimizar   la pérdida de conducción, proporcionar   un rendimiento de conmutación superior  y    una sólida capacidad de avalancha.
La   serie Z de GreenMOS®  está  integrada  con    diodo de recuperación rápida (FRD) para  minimizar   el tiempo de recuperación inversa.   Es adecuado  para    topologías de conmutación resonantes  para  alcanzar   una mayor eficiencia,  mayor fiabilidad  y   un factor de forma más pequeño.


Características
O   RDS(ON) Y FOM BAJOS
O     pérdida de conmutación extremadamente baja
O   excelente estabilidad  y  uniformidad
O      Diodo de cuerpo ultra rápido y robusto


Aplicaciones
O   Alimentación de PC
O   poder de telecomunicaciones
O   Alimentación del servidor
O  Cargador EV  
O   controlador de motor


  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro	Valor	Unidad
VDS,  mín . A TJ (máx.)	650	V
ID, pulso	108	R
RDS(ON), MÁX . A VGS  =10V	99	MΩ
P.	66,8	NC

  Valores máximos absolutos  a  TJ  =25°C  a menos   que se indique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	600	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo  current1), TC=25 °C.	ID	36	R
Drenaje continuo  current1), TC=100 °C.		22,8
Drenaje pulsado  current2), TC=25 °C.	ID, pulso	108	R
Diodo continuo  hacia adelante  current1) , TC=25 °C.	ES	36	R
Diodo  pulsado  current2), TC=25 °C.	ES, pulso	108	R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C.	PD	278	W
Avalancha por impulsos sencilla  energy5)	EAS	1000	MJ
Resistencia MOSFET  dv/dt , VDS  =0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso  dv/dt, VDS  =0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg , TJ	-55 a 150	°C

 Características térmicas

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,45	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ  =25°C  salvo   que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	600			V	VGS  =0 V, ID  =1  MA
		650				VGS  =0 V, ID  =1 MA, TJ  =150 °C.
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	3,0		4,5	V	VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		0,082	0,099	Ω	VGS  =10 V, ID=18  A.
			0,20			VGS  =10 V, ID=18 A, TJ  =150 °C.
Origen de puerta  corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS  =30 V.
				- 100		VGS  =-30 V.
Fuente de drenaje  corriente de fuga	IDSS			10	R	VDS  = 600 V, VGS  = 0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		8		Ω	ƒ=1 MHz  /   drenaje abierto

 Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		3917,5		PF	VGS  =0  V, VDS  = 50 V, ƒ=100 KHz
Capacitancia de salida	COSS		203,3		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		9,0		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		48,3		no	VGS  =10 V, VDS  = 400 V, RG=2 Ω, ID=20  A.
Tiempo de subida	tr		77,0		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		90,9		no
Tiempo de caída	tf		4,6		no

  Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		66,8		NC	VGS  =10 V, VDS  = 400 V, ID=20  A.
Cargo por fuente de inyección	QGS		16,6		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		28,7		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,7		V

  Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,4	V	ES=36 A, VGS  =0 V.
Invertir   tiempo de recuperación	trr		146,5		no	ES=20 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,0		C
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		12,8		R

Nota
1)       corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)      valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)     PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión .
4)     el valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en     un ambiente de aire sin aire  con  ta=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=60 MH,  TJ inicial  =25 °C.

 

 Información para pedidos
 

Paquete Tipo	Unidades/ Carrete	Carretes  /  Caja interior	Unidades/     Caja interior	Cajas internas/   Caja de cartón	Unidades/       Caja de cartón
TO263-J	800	1	800	10	8000

 Información del producto

Producto	Paquete	PB  libre	RoHS	Libre de halógenos
OSG60R099KSZF	TO263	sí	sí	sí

Cadena de suministro

Declaración de producto verde