UPS y Mosfet de Inversor de Energía con Conmutación Rápida y Recuperación Suave

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• No. de Modelo.: SFG150N10KF
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
• Nivel de potencia: Media Potencia
• Material: Silicio
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• tipo: estación de carga rápida
• garantía: 24 meses
• Paquete de Transporte: cartón
• Especificación: to247
• Marca Comercial: semiconductor oriental
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20k/mensual

Descripción de Producto

Descripción del producto

SFGMOS®   MOSFET  se  basa  en  el     diseño de dispositivos exclusivo de Oriental Semiconductor  para  lograr   bajo RDS(ON) ,   baja carga de compuerta,  conmutación rápida y   excelentes características de avalancha.  La    serie Low Vth   está especialmente diseñada  para utilizarse en   sistemas de potencia de rectificación síncrona con baja tensión de conducción.

Características
.   RDS (ON) Y   FOM BAJOS
.    Pérdida de conmutación extremadamente baja
.   Excelente fiabilidad  y  uniformidad
.  Conmutación rápida y  recuperación suave

Aplicaciones
.   Cargador PD
.   Controlador de motor
.  Regulador de tensión de conmutación  
.   Convertidor DC-DC
.    Fuente de alimentación conmutada

 Parámetros clave de rendimiento
 

 Descripción general
SFGMOS®   MOSFET se basa en el diseño de dispositivos exclusivo de Oriental Semiconductor para lograr   bajo RDS(ON) ,  baja carga de compuerta, conmutación rápida y  excelentes características de avalancha.  La   serie High Vth  está especialmente   optimizada para sistemas altos con una tensión de accionamiento de puerta superior   a 10V.

Características
.   RDS (ON) Y   FOM BAJOS
.    Pérdida de conmutación extremadamente baja
.  Excelente estabilidad y  uniformidad
.  Conmutación rápida y   recuperación suave

Aplicaciones
.    Fuente de alimentación conmutada
.   Controlador de motor
.   Protección de la batería
.   Convertidor DC-DC
.   Inversor solar
.  UPS  e   inversor de energía

 Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	100	V
ID,  pulso	450	R
RDS(ON),  MÁX . A VGS=10V	3,5	MΩ
P.	87,8	NC
PD	250	W

 Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
SFG150N10KF	TO263	SFG150N10K

Información de paquete y  PIN  

 

  Valores máximos absolutos  a  TJ=25°C  a menos   que se indique lo contrario

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	100	V
Tensión de la fuente de la compuerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo  current1) , TC=25  °C.	ID	150	R
Drenaje pulsado  current2) , TC=25  °C.	ID,  pulso	450	R
Diodo continuo  hacia adelante  current1)  , TC=25  °C.	ES	150	R
Diodo  pulsado  current2) , TC=25  °C.	ES , pulso	450	R
Potencia  dissipation3) , TC=25  °C.	PD	250	W
Avalancha por impulsos sencilla  energy5)	EAS	265	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a  150	°C

Características térmicas

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica,  caja de conexiones	RθJC	0,5	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ=25°C  salvo   que se especifique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Fuente de drenaje tensión de ruptura	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS=VGS ,  ID=250  ΜA
Fuente de drenaje resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		3,22	3,50	MΩ	VGS=10 V,  ID=30 A.
Origen de puerta corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS=20 V.
				-  100		VGS=-20 V.
Fuente de drenaje corriente de fuga	IDSS			1	μA	VDS=100 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		4,9		Ω	ƒ=1  MHz,  drenaje abierto

Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		6850		PF	VGS=0 V, VDS = 25 V, ƒ=100  kHz
Capacitancia de salida	COSS		3170		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		251		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		32		no	VGS=10 V, VDS = 50 V, RG=2  Ω, ID=65 A.
Tiempo de subida	tr		138		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		88		no
Tiempo de caída	tf		106		no

Características de carga de puerta
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		87,8		NC	VGS=10 V, VDS = 50 V, ID=65 A.
Cargo por fuente de inyección	QGS		27,1		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		22,9		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		5,5		V

Características del diodo corporal
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	ES=30 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		158		no	VR = 50 V, ES=65 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		437		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		5		R

Nota
1)   corriente continua calculada  en función    de la temperatura de unión máxima permitida.  2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por  la temperatura de unión máxima.
3)   PD   se basa en  la temperatura de unión máxima , utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4)     el valor   de RθJA   se  mide  con   el dispositivo  montado  en      la placa 1 in2 FR-4  con  2oz.  Cobre, en     un ambiente de aire sin aire  con  ta=25  °C.
5)    VDD=50 V,VGS=10 V,  L=0,3  MH, TJ inicial =25  °C.

 

Información de marcado

Nombre del producto	Paquete	Marcado
SFG15N10DF	TO252	SFG15N10D

 Valores máximos absolutos a TJ=25°C  a menos  que se indique lo contrario

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	100	V
Tensión de la fuente de la compuerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo current1) , TC=25 °C.	ID	15	R
Drenaje pulsado current2) , TC=25  °C.	ID,  pulso	45	R
Diodo continuo hacia adelante current1)  , TC=25 °C.	ES	15	R
Diodo  pulsado current2) , TC=25  °C.	Es, Pulso	45	R
Potencia dissipation3) , TC=25  °C.	PD	36	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	5,5	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg , TJ	-55  a  150	°C

Características térmicas

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	3,5	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C  salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Fuente de drenaje tensión de ruptura	BVDSS	100			V	VGS=0 V,  ID=250  ΜA
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	1,2		2,5	V	VDS=VGS,  ID=250  ΜA
Fuente de drenaje  resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		50	75	MΩ	VGS=10 V,  ID=5 A.
Fuente de drenaje  resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		60	90	MΩ	VGS=4,5 V,  ID=3 A.
Origen de puerta  corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS=20 V.
				-100		VGS=-20 V.
Fuente de drenaje  corriente de fuga	IDSS			1	μA	VDS=100 V, VGS=0  V.
Resistencia de la compuerta	RG		28,8		Ω	ƒ=1  MHz,  drenaje abierto

Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		310		PF	VGS=0 V, VDS = 25 V, ƒ=100  kHz
Capacitancia de salida	COSS		171		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		16,7		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		14		no	VGS=10 V, VDS = 50 V, RG=2  Ω, ID=5  A.
Tiempo de subida	tr		3,2		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		36		no
Tiempo de caída	tf		14		no

Características de carga de puerta
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		6,5		NC	VGS=10 V, VDS = 50 V, ID=5  A.
Cargo por fuente de inyección	QGS		1,4		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		1,4		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		3,3		V

Características del diodo corporal
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	ES=7  A, VGS=0 V.
Invertir  tiempo de recuperación	trr		36		no	VR = 50 V, ES=5  A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		37		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		1,7		R

Nota
1)     corriente continua calculada  en función de la temperatura de unión máxima permitida.  2)   valor nominal repetitivo;   ancho de pulso  limitado  por  la temperatura de unión máxima.
3)   PD  se basa en  la temperatura de unión máxima , utilizando  resistencia térmica de la caja de unión.
4)   el valor de RθJA  se  mide con   el dispositivo  montado  en  1  en   la placa 2 FR-4 con 2oz.  Cobre,  en un ambiente de aire sin aire  con ta=25  °C.
5)   VDD=30 V,VGS=10 V,  L=0,3  MH,  TJ inicial=25  °C.