Mejora de transistor220 Sfg110n12PF Vds-120V-330ID de la RDS (ON) -6.5milliohm Qg-68.9nc para inversor Solar de protección de la batería Mosfet de canal N

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• No. de Modelo.: TO220 SFG110N12PF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35cm x 37cm x 30cm
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
SFGMOS®  MOSFET  se  basa  en  el     diseño de dispositivo exclusivo de Oriental Semiconductor  para  lograr  bajo RDS(ON),    baja carga de compuerta,  conmutación rápida  y     excelentes características de avalancha. La    serie High Vth  está  especialmente  optimizada  para   sistemas altos  con    una tensión de accionamiento de punto de inyección  superior  a 10V.

Características
       RDS(ON) Y  FOM BAJOS
         Pérdida de conmutación extremadamente baja
       Excelente estabilidad  y  uniformidad
       Conmutación rápida  y   recuperación suave

Aplicaciones
         Fuente de alimentación conmutada
       Controlador de motor
       Protección de la batería
       Convertidor DC-DC
       Inversor solar
      UPS  e   inversor de energía

  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín . A TJ (máx.)	120	V
ID,  pulso	330	R
RDS(ON), MÁX . A VGS  =10V	6,5	MΩ
QG	68,9	NC

  Valores nominales máximos absolutos  a  TJ  =25°C  a menos   que se indique lo contrario

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	120	V
Tensión de la fuente de la compuerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo  current1), TC=25 °C.	ID	110	R
Drenaje pulsado  current2), TC=25 °C.	ID,  pulso	330	R
Diodo continuo  de avance  current1), TC=25 °C.	ES	110	R
Diodo  pulsado  current2), TC=25 °C.	ES, pulso	330	R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C.	PD	192	W
Avalancha por pulsos única  energy5)	EAS	400	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg , TJ	-55 a 150	°C

 Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,65	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ  =25°C  salvo   que se especifique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de interrupción de la fuente de drenaje	BVDSS	120			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Fuente de drenaje  resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		5,0	6,5	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 30 A.
Origen de puerta  corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS  =20 V.
				- 100		VGS  =-20 V.
Fuente de drenaje  corriente de fuga	IDSS			1	μA	VDS  = 120 V, VGS  = 0 V.

 Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		5823		PF	VGS  =0  V, VDS  = 50 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		779		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		17,5		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		30,3		no	VGS  =10 V, VDS  = 50 V, RG=2 Ω, ID=25  A.
Tiempo de subida	tr		33		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		59,5		no
Tiempo de caída	tf		11,7		no

  Características de carga de puerta
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	QG		68,9		NC	VGS  =10 V, VDS  = 50 V, ID=25  A.
Cargo de origen de puerta	QGS		18,1		NC
Carga de drenaje del punto de inyección	Qgd		15,9		NC
Tensión de la meseta de la puerta	VPlateau		4,8		V

 

Nota
1)      corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)    PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión.
4)      el valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en     un ambiente de aire quieto  con  ta=25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 MH,  TJ inicial  =25 °C.

 Información para pedidos

Paquete Tipo	Unidades/ Tubo	Tubos  /    Caja interior	Unidades/     Caja interior	Cajas internas/  caja de cartón	Unidades/      caja de cartón
TO220-C	50	20	1000	6	6000
TO220-J	50	20	1000	5	5000

 Información del producto
 

Producto	Paquete	PB  libre	RoHS	Libre de halógenos
SFG110N12PF	TO220	sí	sí	sí

Cadena de suministro

Declaración de producto verde