Diodo de recuperación rápida PFC sin puente Totem-Pole MOSFET de alta tensión

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: subminiatura
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: OSG65R038HZAF TO247
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
• Nivel de potencia: Media Potencia
• Material: Silicio
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• aplicación: inversor de coche
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 37*37*29CM
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20K/Monthly

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie Z de GreenMOS® está integrada con diodo de recuperación rápida (FRD) para minimizar el tiempo de recuperación inversa. Es adecuado para topologías de conmutación resonantes para alcanzar una mayor eficiencia, mayor fiabilidad y un factor de forma más pequeño.

Características

• RDS (ON) Y FOM BAJOS
• Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto

Aplicaciones                                                                                             

• Alimentación del PC
• Energía de telecomunicaciones
• Potencia del servidor
• Cargador EV
• Controlador de motor

Parámetros clave de rendimiento
 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín. A TJ (máx.)	700	V
ID, pulso	240	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	38	MΩ
P.	175	NC

Información de marcado
 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	80	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 °C.		50
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	240	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	80	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	240	R
Potencia  dissipation3^) , TC=25  °C.	PD	500	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	2900	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	100	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,25	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Fuente de drenaje resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A.
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		486		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		12,8		PF
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con la energía	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con el tiempo	Co(tr)		1477		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		55,9		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	tr		121,2		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		114,2		no
Tiempo de caída	tf		8,75		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		40,1		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		76,1		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,4		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		180		no	ES=30 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,5		UC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		15,2		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en la placa 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 MH, TJ inicial=25 °C.