Modo de mejora de transistor TO247 Osg65r200hf VDS-700V ID-60A RDS (ON) -200milliohm QG-24,8nc para iluminación LED PC Power N-Channel Power MOSFET

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: TO247 OSG65R200HF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza    la tecnología de equilibrio de carga  para  lograr   una excelente baja resistencia a la activación  y    una menor carga de compuerta.    Está diseñado  para  minimizar   la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior  y    una sólida capacidad de avalancha .
La       serie genérica GreenMOS®   está   optimizada  para      un rendimiento de conmutación extremo   para   minimizar   la pérdida de conmutación .    Está diseñado  para     aplicaciones de alta densidad de potencia  para   cumplir     con los estándares de eficiencia más altos .

Características
       RDS(on) y FOM bajos
         Pérdida de conmutación extremadamente baja
       Excelente estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
       Alimentación del PC
       Iluminación LED
       Energía de las telecomunicaciones
       Potencia del servidor
       Cargador EV
      Solar/UPS


  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro	Valor	Unidad
VDS, mín . A TJ (máx.)	700	V
ID, pulso	60	R
RDS(ON), MÁX . A VGS=10V	200	MΩ
QG	24,8	NC

  Valores máximos absolutos  a  TJ=25°C a menos que se indique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1), TC=25 °C.	ID	20	R
Drenaje continuo  current1), TC=100 °C.		12,5
Drenaje pulsado current2), TC=25 °C.	ID, pulso	60	R
Diodo continuo de avance  current1), TC=25 °C.	ES	20	R
Diodo pulsado current2), TC=25 °C.	ES, pulso	60	R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C.	PD	151	W
Avalancha por pulsos única energy5)	EAS	600	MJ
Resistencia MOSFET  dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso  dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg ,  TJ	-55 a 150	°C

 Características térmicas

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,82	°C/W
Resistencia térmica , empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ=25°C  salvo   que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de interrupción de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0  V, ID=250 UA
		700	774			VGS=0 V, ID=250 u A, TJ=150 °C.
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 U A.
Resistencia del estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		0,16	0,2	Ω	VGS=10  V, ID=10 A.
			0,42			VGS=10 V, ID=10 A, TJ=150 °C.
Origen de puerta  corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Fuente de drenaje  corriente de fuga	IDSS			1	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.

 Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		1433		PF	VGS=0 V, VDS = 50 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		92,5		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		3,9		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		40,1		no	VGS=10 V, VDS = 520 V, RG=25 Ω, ID=20 A.
Tiempo de subida	tr		49,8		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		57,3		no
Tiempo de caída	tf		63,7		no

  Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	QG		24,8		NC	VGS=10 V, VDS = 520 V, ID=20 A.
Cargo de origen de puerta	QGS		7,2		NC
Carga de drenaje del punto de inyección	Qgd		8,2		NC
Tensión de la meseta de la puerta	VPlateau		5,6		V

Nota
1)      corriente continua calculada  en función     de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)    PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión.
4)     el valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en     un ambiente de aire quieto con ta=25 °C.
5)    VDD=150 V, VGS=10 V, L=10,8 MH,  TJ inicial=25 °C.

 Información para pedidos

Paquete Tipo	Unidades/ Tubo	Tubos/    Caja interior	Unidades/     Caja interior	Cajas internas/  caja de cartón	Unidades/      caja de cartón
TO247-J	30	20	600	5	3000
TO247-P	30	11	330	6	1980

 Información del producto

Producto	Paquete	PB  libre	RoHS	Libre de halógenos
OSG65R200HF	TO247	sí	sí	sí

Cadena de suministro

Declaración de producto verde