• Mejora de transistor To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm QG-18nc Para servidor Power EV Cargador Solar/UPS N-Channel Power MOSFET
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Mejora de transistor To220f Osg65r290FF VDS-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm QG-18nc Para servidor Power EV Cargador Solar/UPS N-Channel Power MOSFET

Certification: RoHS, ISO
Shape: Metal Porcelain Tube
Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
Cooling Method: Air Cooled Tube
Function: Switch Transistor
Working Frequency: High Frequency

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Fabricante/Fábrica, Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
TO220F OSG65R290FF
Structure
Planar
Encapsulation Structure
Chip Transistor
Power Level
High Power
Material
Silicon
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
35x30x37cm
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month

Descripción de Producto



 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza    la tecnología de equilibrio de carga  para  lograr   una excelente baja resistencia a la activación  y    una menor carga de compuerta.    Está diseñado  para  minimizar   la pérdida de conducción, proporcionar   un rendimiento de conmutación superior  y    una sólida capacidad de avalancha.
La       serie genérica GreenMOS®   está   optimizada   para       un rendimiento de conmutación extremo   para   minimizar   la pérdida de conmutación.     Está diseñado  para       aplicaciones de alta densidad de potencia  para   cumplir      con los estándares de eficiencia más altos.

Características
       RDS(on) y FOM bajos
         Pérdida de conmutación extremadamente baja
       Excelente estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
       Alimentación del PC
       Iluminación LED
       Energía de las telecomunicaciones
       Potencia del servidor
       Cargador EV
      Solar/UPS

  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro Valor Unidad
VDS, mín . A TJ (máx.) 700 V
ID,  pulso 45 R
RDS(ON), MÁX . A VGS  =10V 290
QG 18 NC


  Valores nominales máximos absolutos  a  TJ  =25°C  a menos   que se indique lo contrario

Parámetro Símbolo Valor Unidad
 Tensión de la fuente de drenaje VDS 650 V
 Tensión de la fuente de la puerta VGS ±30 V
 Drenaje continuo  current1), TC=25 °C.
ID
15
R
 Drenaje continuo  current1), TC=100 °C. 9,3
 Drenaje pulsado  current2), TC=25 °C. ID,  pulso 45 R
 Diodo continuo  de avance  current1), TC=25 °C. ES 15 R
Diodo  pulsado  current2), TC=25 °C. ES, pulso 45 R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C. PD 32 W
  Avalancha por pulsos única  energy5) EAS 400 MJ
Resistencia MOSFET  dv/dt , VDS  =0...480 V. dv/dt 50 V/ns
 Diodo inverso  dv/dt, VDS  =0...480 V, ISDID dv/dt 15 V/ns
   Temperatura de funcionamiento y almacenamiento Tstg , TJ -55 a 150 °C


 Características eléctricas  a  TJ  =25°C  salvo   que se especifique lo contrario

Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
          Tensión de interrupción de la fuente de drenaje
BVDSS
650    
V
VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
700 770   VGS  =0 V, ID  =250 μA, TJ  =150 °C.
 Umbral de puerta
voltaje
VGS(TH) 2,0   4,0 V VDS  =VGS , ID =250 ΜA
   Resistencia del estado de encendido de la fuente de drenaje
RDS (ACTIVADO)
  0,26 0,29
Ω
VGS  = 10 V, ID = 7,5  A.
  0,68   VGS  = 10 V, ID = 7,5 A, TJ  = 150 °C.
Origen de puerta
 corriente de fuga

IGS
    100
Na
VGS  =30 V.
    - 100 VGS  =-30 V.
Fuente de drenaje
 corriente de fuga
IDSS     1 μA VDS  = 650 V, VGS  = 0 V.

Nota
1)      corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)    PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión.
4)      el valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en     un ambiente de aire quieto  con  ta=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 MH,  TJ inicial  =25 °C.

 Información para pedidos

Paquete
Tipo
Unidades/
Tubo
Tubos/    Caja interior Unidades/     Caja interior  Cajas internas/  caja de cartón   Unidades/      caja de cartón  
TO220F-C 50 20 1000 6 6000



 Información del producto
 
Producto Paquete PB  libre RoHS  Libre de halógenos
OSG65R290FF TO220F


Cadena de suministro

To220f Osg65r290FF Vds-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm Qg-18nc for Server Power EV Charger Solar/UPS N-Channel Power Mosfet



Declaración de producto verde

To220f Osg65r290FF Vds-700V ID-45A RDS (ON) -290milliohm Qg-18nc for Server Power EV Charger Solar/UPS N-Channel Power Mosfet
 

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Capital Registrado
10000000 RMB
Área de la Planta
501~1000 Metros Cuadrados