El transistor a la mejora de la OSG220f55r160fzf Vds. a 600V-69ID de la RDS (ON) -160milliohm Qg-23.3nc para el servidor Controlador de motor de potencia MOSFET de canal N

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: Volver transistor de alta presión, interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: TO220F OSG55R160FZF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza la    tecnología de equilibrio de carga  para  obtener  una excelente  resistencia a la baja  y  bajar la  compuerta de  carga.  Ha sido diseñado    para  minimizar la   pérdida de la conducción, ofrecer un mejor   rendimiento de conmutación  y  sólida   capacidad de avalancha.
La  GreenMOS®  Serie Z  está  integrado  con  una rápida  recuperación  del diodo (FRD) para  minimizar el   tiempo de recuperación de marcha atrás.  Es   adecuado  para    topologías de conmutación de resonancia  para  llegar a  una mayor  eficiencia, fiabilidad   y el  formato más pequeño .
Características
      Bajo  RDS(on) y la  FOM
      Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad
      Ultra-rápido  y  robusto  cuerpo  diodo

Aplicaciones
       La potencia del PC
       El poder de telecomunicaciones
       Alimentación del servidor.
       Cargador de EV
       Controlador de motor

  Los parámetros de rendimiento clave
 

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.).	600	V
Pulso, ID.	69	Un
RDS(on), max  @ VGS  =10V	160	MΩ
Qg	21.3	NC

 

 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la  tensión de fuente	VDS.	550	V
Gate- tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C	ID.	23	Un
Corriente de drenaje continuo1) , TC=100 °C		14.5
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C	Pulso, ID.	69	Un
Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C	Es	23	Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C	Es, el pulso	69	Un
Disipación de potencia3) , TC=25 °C	PD	34	W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5).	EAS	250	MJ
Dv/dt MOSFET de  robustez, VDS  =0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	50	V/ns
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento	Tstg  , Tj	-55 a 150	°C.

Las  características térmicas

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	3.7	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62.5	°C/W

 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura	BVDSS	550			V	VGS  =0 V, ID =250 uA
		600	675			VGS  =0 V, ID =250 uA, Tj  =150 °C
El umbral de puerta La tensión	VGS(a)	3.0		4.5	V	VDS  =VGS  , ID =250 uA,
Fuente de drenaje  en el estado  resistencia	RDS(on)		0.12	0.16	Ω.	VGS  =10 V, ID=11.5  Un
			0.29			VGS  =10 V, ID=11.5, Tj  =150 °C
Fuente de puerta.  Corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30V
Fuente de drenaje  Corriente de fuga.	IDSS			10	ΜA	VDS  =550 V, VGS  =0 V

Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)     El  valor  de  RθJA  se  mide  con  el  dispositivo  montado  en el 1 de 2 FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=10 mH, a partir de  Tj  =25 °C.








La cadena de suministro

Declaración de los productos verdes