Mejora de transistor TO220 Sfs280n10PF VDS-100 ID-800A RDS (ON) -2,1milliohm QG-245nc Para MOSFET de potencia de canal N de regulador de tensión de conmutación

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: SFS280N10PF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x 30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
FSMOS®    MOSFET   se   basa  en  el      diseño de dispositivo exclusivo de Oriental Semiconductor  para  lograr   bajo RDS(ON),   baja carga de compuerta,  conmutación rápida  y    excelentes características de avalancha. La    serie High Vth está  especialmente  diseñada   para usarse  en    sistemas de control de motor  con   una tensión de conducción   superior  a 10V .
 

Características
       RDS(ON) Y  FOM BAJOS
         Pérdida de conmutación extremadamente baja
       Excelente fiabilidad  y  uniformidad
       Conmutación rápida  y   recuperación suave




Aplicaciones
         Fuente de alimentación de modo de conmutación
       Controlador de motor
       Protección de la batería
       Convertidor DC-DC
      Inversores
      UPS



  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	100	V
ID,  pulso	800	R
RDS(ON), MÁX . A VGS  =10V	2,1	MΩ
QG	245	NC
PD	450	W

  Valores nominales máximos absolutos  a  TJ  =25°C  a menos   que se indique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	100	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo  current1), TC=25 °C.	ID	340	R
Drenaje pulsado  current2), TC=25 °C.	ID,  pulso	800	R
Diodo continuo  de avance  current1), TC=25 °C.	ES	340	R
Diodo  pulsado  current2), TC=25 °C.	ES, pulso	800	R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C.	PD	450	W
Avalancha por pulsos única  energy5)	EAS	540	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg,  TJ	-55 a 150	°C

 Características térmicas

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,27	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ  =25°C  salvo   que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de interrupción de la fuente de drenaje	BVDSS	100			V	VGS  =0 V, ID  =250 ΜA
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS  =VGS , ID =250 ΜA
Fuente de drenaje  resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		1,8	2,1	MΩ	VGS  = 10 V, ID = 50 A.
Origen de puerta  corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS  =20 V.
				- 100		VGS  =-20 V.
Fuente de drenaje  corriente de fuga	IDSS			1	μA	VDS  = 100 V, VGS  = 0 V.
Resistencia del punto de inyección	RG		1,2		Ω	ƒ=1 MHz,  drenaje abierto

 Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		18000		PF	VGS  =0  V, VDS  = 25 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		4570		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		510		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		40		no	VGS  =10 V, VDS  = 50 V, RG=2 Ω, ID=25  A.
Tiempo de subida	tr		34		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		97		no
Tiempo de caída	tf		34		no

  Características de carga de puerta\

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	QG		245		NC	VGS  =10 V, VDS  = 50 V, ID=25  A.
Cargo de origen de puerta	QGS		74		NC
Carga de drenaje del punto de inyección	Qgd		54		NC
Tensión de la meseta de la puerta	VPlateau		4,5		V

  Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	ES=30 A, VGS  =0 V.
Invertir   tiempo de recuperación	trr		1 10		no	VR = 50 V, ES=25 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		289		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		4,3		R

Nota
1)      corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)    PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión.
4)    VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 MH,  TJ inicial  =25 °C.




 

Cadena de suministro

Declaración de producto verde