Sic Mosfet de diodos de conmutación de alta velocidad y el Tótem Bridgeless aplicaciones PFC Vds 700V RDS 340mΩ menor coste inferior a 1/5 de Mosfet de GaN

• Battery is Removable: Yes
• Capacity: 2001-5000mAh
• Compatible Brand: iPhone
• Carrying Way: Universal Split
• Charging Type: Electric
• Applicable Models: Mobile Phone
• No. de Modelo.: OSS65R340JF PDFN 8X8-L
• Cell Type: Li-Polymer
• Display: Without Display
• iluminación led: iluminación led
• Certification: RoHS
• Socket Type: for USA/Canada
• Recyclable: Recyclable
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• Paquete de Transporte: Air
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La serie SuperSi GreenMOS® se basa en el semiconductor orientales exclusivo diseño del dispositivo para lograr las características de conmutación extremadamente rápido. Es el perfecto sustituto para el nitruro de galio (GaN) dispositivo en las operaciones de alta frecuencia con la mejor de la robustez y costo. Está orientado a satisfacer las normas de eficiencia más agresivo de los sistemas de alimentación empujando tanto el rendimiento y densidad de potencia a límites extremos.

Características                                                                                                   

• Bajo RDS(on) y la FOM
• Extremadamente baja pérdida de conmutación
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Fácil diseño en

Aplicaciones

• Cargador de PD
• Pantalla grande
• El poder de telecomunicaciones
• Alimentación del servidor.

Los parámetros de rendimiento clave

 

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min @ Tj(máx.).	700	V
Pulso, ID.	36	Un
RDS(on), max @ VGS=10V	340	MΩ
Qg	9.6	NC

Marcar información

 

El nombre del producto	Paquete	El marcado
OSS65R340JF	PDFN8×8	OSS65R340J

 

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	650	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C	ID.	12	Un
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=100 °C		7.6
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C	Pulso, ID.	36	Un
Diodo continua corriente^1), el TC=25 °C	Es	12	Un
El diodo corriente pulsada^2), el TC=25 °C	Es, el pulso	36	Un
Disipación de potencia^3), el TC=25 °C	PD	83	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	200	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	15	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C.

Las características térmicas
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	1.5	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=250 µa
		700				VGS = 0 V, ID=250 µa, TJ=150 °C
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	2.9		3.9	V	VDS=VGS, ID=250 µa
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		0.30	0.34	Ω.	VGS=10 V, ID=6
			0.73			VGS=10 V, ID=6, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			1	ΜA	VDS=650 V, VGS = 0 V.

 

Características dinámicas
 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		443.5		PF	VGS = 0 V, VDS.=50 V, ƒ=100 KHz.
La capacitancia de salida	Coss		59.6		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		1.7		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6
Tiempo de subida	Tr		17.5		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		40.3		Ns
Tiempo de bajada	Tf		7.2		Ns

Características de carga de la puerta
 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		2.2		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		4.5		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		6.5		V

Características Diodo cuerpo
 

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=12, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		236,5		Ns	VR=400 V, es de=6, Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		2.2		ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		19.1		Un

Nota

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en el 1 de 2 FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, a partir de TJ=25 °C.
   
   Circuitos de prueba y formas de onda
   Figura 1. Circuito de pruebas de carga de la puerta y la forma de onda
   
   
   Figura 2. Tiempo de conmutación circuito de prueba y formas de onda
   
   
   Figura 3. Unclamped conmutación inductiva (IEU) El circuito de prueba y formas de onda
   
   
   Figura 4. El diodo de recuperación inversa probar el circuito y formas de onda

 

Símbolo	Mm
	Min	Nom.	Máx.
Un	0.90	1.00	1.10
B	0.90	1.00	1.10
B1	0.00	0.02	0.05
C	0.2REF
D	7.90	8.00	8.10
D1	7.10	7.20	7.30
E	7.90	8.00	8.10
E1	4.65	4.75	4.85
E2	2.65	2.75	2.85
E3	0.30	0.40	0.50
E	2.0BSC
L	0.40	0.50	0.60

Versión 1: PDFN8×8-L ESQUEMA DE PAQUETE DIMENSION