Impulso continuo de energía del servidor de PFC Osg65R099a247 hszaf Vds 650V99RDS mΩ Diodo de recuperación rápida de Mosfet de regulador de voltaje alto

• Type: Car Power Inverter
• Certification: CE, ISO9001, RoHS
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• No. de Modelo.: Osg65r099hszaf To247
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza la tecnología de equilibrio de carga para obtener una excelente resistencia a la baja y bajar la compuerta de carga. Ha sido diseñado para minimizar la pérdida de la conducción, ofrecer un mejor rendimiento de conmutación y sólida capacidad de avalancha.
La GreenMOS® Serie Z está integrado con una rápida recuperación del diodo (FRD) para minimizar el tiempo de recuperación de marcha atrás. Es adecuado para topologías de conmutación de resonancia para llegar a una mayor eficiencia, fiabilidad y el formato más pequeño.

Características                                                                                                    

• Bajo RDS(on) y la FOM
• Extremadamente baja pérdida de conmutación
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Ultra-rápido y robusto cuerpo diodo
• AEC-Q101 aptos para aplicaciones de automoción

Aplicaciones

• La potencia del PC
• El poder de telecomunicaciones
• Alimentación del servidor.
• Cargador de EV
• Controlador de motor

Los parámetros de rendimiento clave

 

El parámetro	Valor	Unidad
VDS.	650	V
Pulso, ID.	96	Un
RDS(on), max @ VGS=10V	99	MΩ
Qg	66.6	NC

Marcar información

 

El nombre del producto	Paquete	El marcado
OSG65R099HSZAF	A247	OSG65R099HSZA

La HTRB prueba fue realizada a 600V más estrictamente que el AEC-Q101 rev.C (80% V(BR) DSS). Todas las demás pruebas se realizaron según el sistema AEC Q101 Rev. E.

 

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	650	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C	ID.	32	Un
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=100 °C		20
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C	Pulso, ID.	96	Un
Diodo continua corriente^1), el TC=25 °C	Es	32	Un
El diodo corriente pulsada^2), el TC=25 °C	Es, el pulso	96	Un
Disipación de potencia^3)  ,TC=25  °C	PD	278	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	648	MJ
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	50	V/ns
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C.

Las características térmicas
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	0.45	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=1 mA
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	3.0		4.5	V	VDS=VGS, ID=1 mA
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		0.090	0.099	Ω.	VGS=10 V, ID=16
			0.21			VGS=10 V, ID=16, TJ=150 °C
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=30 V
				-100		VGS=-30 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			10	ΜA	VDS=650 V, VGS = 0 V.
Resistencia a la puerta	RG		7.8		Ω.	Ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		3988		PF	VGS = 0 V, Vds.=50 V Ƒ=100 kHz.
La capacitancia de salida	Coss		210		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		7.4		PF
De salida efectiva de la capacitancia, relacionados con la energía	Co(er)		124		PF	VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V
De salida efectiva de la capacitancia, relacionadas con el tiempo	Co(tr)		585		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		46.0		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20
Tiempo de subida	Tr		60.3		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		93.0		Ns
Tiempo de bajada	Tf		3.7		Ns

Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		66.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		20.6		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		24.8		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		6.7		V

Características Diodo cuerpo

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=32, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		151,7		Ns	Es de=20 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		1.0		ΜC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		12.3		Un

Nota

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, a partir de TJ=25 °C.