Modo de mejora de transistor Mosfet de canal N A252 Osg80r650df Vds-850V ID-24A (RDS) -650milliohm Qg-12.1nc para Telecom ALIMENTACIÓN Alimentación del servidor.

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: TO252 OSG80R650DF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza la    tecnología de equilibrio de carga  para  obtener  una excelente  resistencia a la baja  y  bajar la  compuerta de  carga.  Ha sido diseñado    para  minimizar la   pérdida de la conducción, ofrecer un mejor   rendimiento de conmutación  y  sólida   capacidad de avalancha.
La   GreenMOS®     serie genérica   está   optimizado   para el       rendimiento de conmutación extrema   para   minimizar la   pérdida de conmutación.  Está    diseñado  para       aplicaciones de alta densidad de potencia   para   satisfacer  los   más altos   estándares de eficiencia.

Características
      Bajo  RDS(on) y la  FOM
      Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
       La potencia del PC
       Iluminación LED
       El poder de telecomunicaciones
       Alimentación del servidor.
       Cargador de EV
      Solar/UPS

  Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.).	850	V
Pulso, ID.	24	Un
RDS(on) , max  @ VGS  =10V	650	MΩ
Qg	12. 1	NC

 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la  tensión de fuente	VDS.	800	V
Gate- tensión de la fuente	VGS	±30	V
Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C	ID.	8	Un
Corriente de drenaje continuo1) , TC=100 °C		5
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C	Pulso, ID.	24	Un
Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C	Es	8	Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C	Es, el pulso	24	Un
Disipación de potencia3) , TC=25 °C	PD	83	W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5).	EAS	240	MJ
Dv/dt MOSFET de  robustez, VDS  =0…480 V.	Dv/dt	50	V/ns
Diodo de retroceso  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSI≤ID.	Dv/dt	15	V/ns
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento	Tstg  , Tj	-55 a 150	°C.

Las  características térmicas

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	1.5	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura	BVDSS	800			V	VGS  =0 V, ID =250 µa
		850	930			VGS  =0 V, ID =250 µa, Tj  =150 °C
El umbral de puerta La tensión	VGS(a)	2.0		4.0	V	VDS  =VGS , ID=250 µa
Fuente de drenaje  en el estado  resistencia	RDS(on)		0.55	0.65	Ω.	VGS  =10 V, ID=4
			1.48			VGS  =10 V, ID=4, Tj  =150 °C
Fuente de puerta.  Corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30V
Fuente de drenaje  Corriente de fuga.	IDSS			10	ΜA	VDS  =800 V, VGS  =0 V

Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)     El  valor  de  RθJA  se  mide  con  el  dispositivo  montado  en el 1 de 2 FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=20 mH, a partir de  Tj  =25 °C.


Solicitar  información

Paquete Tipo	Las unidades/. El tambor	Los tambores/     Cuadro interior	Las unidades    interiores  de la caja/.	Cuadros/  caja de cartón interior	Unidades/     caja de cartón
A252-C	2500	2	5000	5	25000

 Información del producto

Producto	Paquete	Pb  Free	RoHS	Libre de halógenos
OSG80R650DF	A252	Sí	Sí	Sí

La cadena de suministro

Declaración de los productos verdes