Osg65r099hszaf TO247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: De metal tubo de porcelana
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: El transistor de microondas, interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: OSG65R099HSZAF TO247
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: El transistor de oro Sellado
• Nivel de potencia: Media Potencia
• Material: Silicio
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 37*37*29CM
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS® utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie Z de GreenMOS® está integrada con diodo de recuperación rápida (FRD) para minimizar el tiempo de recuperación inversa. Es adecuado para topologías de conmutación resonantes para alcanzar una mayor eficiencia, mayor fiabilidad y un factor de forma más pequeño.

Características                                                                                                    

• RDS (on) y FOM bajos
• Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Diodo de cuerpo ultrarrápido y robusto
• AEC-Q101 calificado para aplicación Automotriz

Aplicaciones

• Alimentación del PC
• Energía de telecomunicaciones
• Potencia del servidor
• Cargador EV
• Controlador de motor

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	650	V
ID, pulso	96	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	99	MΩ
P.	66,6	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG65R099HSZAF	TO247	OSG65R099HSZA

La prueba HTRB se realizó a 600V más estrictamente que la AEC-Q101 Rev.C (80% V(BR)DSS). Todas las demás pruebas se realizaron de acuerdo con AEC Q101 rev. E.

 

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	32	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 °C.		20
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	96	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	32	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	96	R
Potencia  dissipation3^) , TC=25  °C.	PD	278	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	648	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,45	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=1 MA
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=1 MA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		0,090	0,099	Ω	VGS=10 V, ID=16 A.
			0,21			VGS=10 V, ID=16 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		7,8		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		3988		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		210		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		7,4		PF
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con la energía	Co(er)		124		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con el tiempo	Co(tr)		585		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		46,0		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A
Tiempo de subida	tr		60,3		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		93,0		no
Tiempo de caída	tf		3,7		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		66,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		20,6		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		24,8		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,7		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=32 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		151,7		no	ES=20 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,0		μC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		12,3		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 MH, TJ inicial=25 °C.