Certification: | RoHS, ISO |
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descripción: | pérdida de conmutación extremadamente baja |
características: | excelente estabilidad y uniformidad |
aplicaciones: | alimentación del pc |
industrias: | iluminación led |
Paquete de Transporte: | Air |
Proveedores con licencias comerciales verificadas
El parámetro | Valor | Unidad |
VDS, min @ Tj(máx.). | 650 | V |
Pulso, ID. | 240 | Un |
RDS(on), max @ VGS=10V | 30 | MΩ |
Qg | 178 | NC |
El nombre del producto | Paquete | El marcado |
OSG60R030HZF | A247 | OSG60R030Hz |
El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Vaciado de la tensión de fuente | VDS. | 600 | V |
Gate-tensión de la fuente | VGS | ±30 | V |
Corriente de drenaje continuo1), el TC=25 °C | ID. |
80 | Un |
Corriente de drenaje continuo1), el TC=100 °C | 50 | ||
Impulsos de corriente de drenaje2), el TC=25 °C | Pulso, ID. | 240 | Un |
Diodo continua corriente1), el TC=25 °C | Es | 80 | Un |
El diodo corriente pulsada2), el TC=25 °C | Es, el pulso | 240 | Un |
Disipación de potencia3), el TC=25 °C | PD | 480 | W |
Solo avalancha de pulsos de energía5). | EAS | 2500 | MJ |
Dv/dt MOSFET de robustez, VDS=0…480 V. | Dv/dt | 50 | V/ns |
Diodo de retroceso, VDS dv/dt=0…480 V, DSI≤ID. | Dv/dt | 50 | V/ns |
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C. |
El parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
Resistencia térmica, en la intersección de los casos | RθJC | 0.26 | °C/W |
Resistencia térmica, junction ambiente4). | RθJA | 62 | °C/W |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
Vaciar el origen de la tensión de ruptura | BVDSS | 600 | V | VGS = 0 V, ID=1 mA | ||
Tensión umbral de puerta | VGS(a) | 3.0 | 4.5 | V | VDS=VGS, ID=2 mA | |
Fuente de drenaje En el estado de la resistencia |
RDS(on) |
0.028 | 0.030 | Ω. |
VGS=10 V, ID=40 A | |
0,058 | VGS=10 V, ID=40, TJ=150 °C | |||||
Gate-fuente corriente de fuga. | IGSS |
100 | NA |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS=-30 V | |||||
Fuente de drenaje de corriente de fuga. | IDSS | 10 | ΜA | VDS=600 V, VGS = 0 V. | ||
Resistencia a la puerta | RG | 2.1. | Ω. | Ƒ=1 MHz, drenaje abierto |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
La capacitancia de entrada | La CISS | 9343 | PF | VGS = 0 V, VDS.=50 V, ƒ=100 KHz. |
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La capacitancia de salida | Coss | 708 | PF | |||
La transferencia inversa la capacitancia | Sir | 15 | PF | |||
De salida efectiva de la capacitancia, relacionados con la energía | Co(er) | 345 | PF | VGS = 0 V, VDS=0 V-400 V |
||
De salida efectiva de la capacitancia, relacionadas con el tiempo | Co(tr) | 1913 | PF | |||
Tiempo de retardo de encendido | Td(en) | 52.1 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A |
||
Tiempo de subida | Tr | 105.2 | Ns | |||
Desactivar el tiempo de retraso | Td(off) | 125,7 | Ns | |||
Tiempo de bajada | Tf | 4.1. | Ns |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
El total de carga de la puerta | Qg | 177.9 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A |
||
Carga de la fuente de puerta. | Qgs | 37.4 | NC | |||
Carga de drenaje de puerta. | Qgd | 78.4 | NC | |||
Tensión de la meseta de puerta | Vplateau | 6.2 | V |
El parámetro | Símbolo | Min. | Tip. | Max. | Unidad | Condición de prueba |
El diodo tensión directa | VSD | 1.4 | V | Es de=80 A, VGS = 0 V. | ||
Invertir el tiempo de recuperación | Trr | 186.6 | Ns | Es de=40 A Di/dt=100 A/μs |
||
Carga de la recuperación de marcha atrás | Qrr | 1.6 | ΜC | |||
El pico de corriente de recuperación inversa | Irrm | 15.4 | Un |
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