• A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
  • A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
  • A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
  • A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
  • A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
  • A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N
Favoritos

A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N

Certification: RoHS, ISO
Shape: ST
Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
Cooling Method: Air Cooled Tube
Function: Switch Transistor
Working Frequency: High Frequency

Contactar al Proveedor

Miembro de Oro Desde 2022

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica, Empresa Comercial

Información Básica.

No. de Modelo.
TO247 OSG65R074HT3ZF
Structure
Planar
Encapsulation Structure
Chip Transistor
Power Level
High Power
Material
Silicon
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
35x30x37cm
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month

Descripción de Producto


 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza    la tecnología de equilibrio de carga  para  lograr   una excelente baja resistencia a la activación  y    una menor carga de compuerta.    Está diseñado  para  minimizar   la pérdida de conducción, proporcionar   un rendimiento de conmutación superior  y    una sólida capacidad de avalancha.
La   serie Z de GreenMOS®  está  integrada  con    diodo de recuperación rápida (FRD) para  minimizar   el tiempo de recuperación inversa.   Es adecuado  para    topologías de conmutación resonantes  para  alcanzar   mayor eficiencia,  mayor fiabilidad  y   factor de forma más pequeño.

Características
       RDS(ON) Y  FOM BAJOS
         Pérdida de conmutación extremadamente baja
       Excelente estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
       Alimentación del PC
        Fuente de alimentación del servidor
      Telecomunicaciones
       Inversor solar
       Super cargador   para automóviles

  Parámetros clave de rendimiento

Parámetro Valor Unidad
VDS, mín . A TJ (máx.) 700 V
ID,  pulso 138 R
RDS(ON), MÁX . A VGS  =10V 74
QG 65,7 NC


  Valores nominales máximos absolutos  a  TJ  =25°C  a menos   que se indique lo contrario

Parámetro Símbolo Valor Unidad
 Tensión de la fuente de drenaje VDS 650 V
 Tensión de la fuente de la puerta VGS ±30 V
 Drenaje continuo  current1), TC=25 °C.
ID
46
R
 Drenaje continuo  current1), TC=100 °C. 29
 Drenaje pulsado  current2), TC=25 °C. ID,  pulso 138 R
 Diodo continuo  de avance  current1), TC=25 °C. ES 46 R
Diodo  pulsado  current2), TC=25 °C. ES, pulso 138 R
Potencia  dissipation3), TC=25 °C. PD 379 W
  Avalancha por pulsos única  energy5) EAS 705 MJ
Resistencia MOSFET  dv/dt , VDS  =0...480 V. dv/dt 50 V/ns
 Diodo inverso  dv/dt, VDS  =0...480 V, ISDID dv/dt 50 V/ns
   Temperatura de funcionamiento y almacenamiento Tstg , TJ -55 a 150 °C


 Características eléctricas  a  TJ  =25°C  salvo   que se especifique lo contrario

Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
          Tensión de interrupción de la fuente de drenaje
BVDSS
650    
V
VGS  =0 V, ID  =1 MA
700     VGS  =0 V, ID  =1 MA,
TJ  = 150 °C.
 Umbral de puerta
voltaje
VGS(TH) 3,0   5,0 V VDS  =VGS  , ID  =1 MA
Fuente de drenaje
 resistencia en estado

RDS (ACTIVADO)
  68 74
VGS  = 10 V, ID = 23,5  A.
  178   VGS  = 10 V, ID = 23,5 A, TJ  = 150 °C.
Origen de puerta
 corriente de fuga

IGS
    100
Na
VGS  =30 V.
    - 100 VGS  =-30 V.
Fuente de drenaje
 corriente de fuga
IDSS     10 μA VDS  = 650 V, VGS  = 0 V.
 Resistencia del punto de inyección RG   8,3   Ω ƒ=1 MHz,  drenaje abierto


  Características de carga de puerta

Parámetro Símbolo Mín. Típ. Máx. Unidad  Condición de prueba
  Carga total de la puerta QG   65,7   NC
VGS  =10 V,
VDS  = 400 V,
ID=20  A.
 Cargo de origen de puerta QGS   24,5   NC
 Carga de drenaje del punto de inyección Qgd   19,4   NC
  Tensión de la meseta de la puerta VPlateau   7   V

Nota
1)      corriente continua calculada  en función      de la temperatura de unión máxima permitida.
2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por   la temperatura de unión máxima.
3)    PD   se basa  en   la temperatura de unión máxima, utilizando    resistencia térmica de la caja de unión.
4)      el valor   de RθJA  se  mide  con   el dispositivo  montado  en 1 en  la placa 2 FR-4  con 2oz. Cobre, en     un ambiente de aire quieto  con  ta=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 MH,  TJ inicial  =25 °C.


 Información para pedidos

Paquete
Tipo
Unidades/
Tubo
Tubos/    Caja interior Unidades/     Caja interior  Cajas internas/  caja de cartón   Unidades/      caja de cartón  
TO247-P 30 11 330 6 1980
TO247-J 30 20 600 5 3000



 Información del producto
 
Producto Paquete PB  libre RoHS  Libre de halógenos
OSG65R074HT3ZF TO247


Cadena de suministro

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet



Declaración de producto verde

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet
 







 

Enviar directamente tu consulta a este proveedor

*De:
*A:
*Mensaje:

Pone entre 20 y 4000 caracteres.

Esto no es lo que buscas? Publique Solicitud de Compra Ahora

Buscar Productos Similares Por Categoría

Página Web del Proveedor Productos GreenMOS A modo de mejora de transistor247 Osg65r074HT3zf Vds-700V-138A de ID (RDS) -74milliohm Qg-65.7nc para Invertor Solar Cargador Super Mosfet de canal N

Também Poderá Querer

Contactar al Proveedor

Miembro de Oro Desde 2022

Proveedores con licencias comerciales verificadas

Fabricante/Fábrica, Empresa Comercial
Capital Registrado
10000000 RMB
Área de la Planta
501~1000 Metros Cuadrados