Controlador de motor VDS 40V 800A Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 MOSFET

• Application: Lorry, Truck, Car, Mini Car, Microbus
• Certification: ISO, RoHS
• Voltage: 40V
• Power Supply: Battery
• Type: Car Electric Heating Cup
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• No. de Modelo.: SFS04R011UGNF PDFN5x6
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• applications1: cargador pd
• applications2: controlador de motor
• applications3: regulador de tensión de conmutación
• applications4: convertidor dc-dc
• applications5: fuente de alimentación de modo de conmutación
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
FSMOS® MOSFET se basa en el diseño de dispositivo exclusivo de Oriental Semiconductor para lograr bajo RDS(ON), baja carga de compuerta, conmutación rápida y excelentes características de avalancha. La serie High Vth está especialmente diseñada para usarse en sistemas de control de motor con una tensión de conducción superior a 10V.

Características

• RDS (on) y FOM (Figura del mérito) bajos
• Pérdida de conmutación extremadamente baja
• Excelente fiabilidad y uniformidad
• Conmutación rápida y recuperación suave
• AEC-Q101 calificado para aplicaciones de automoción

Aplicaciones

• Cargador PD
• Controlador de motor
• Regulador de tensión de conmutación
• Convertidor DC-DC
• Fuente de alimentación de modo de conmutación

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	40	V
ID, pulso	800	R
RDS(ON), MÁX. A VGS=10V	1,1	MΩ
QG	75,9	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
SFS04R011UGNF	PDFN5×6	SFS04R011UGN

 

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	40	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	200	R
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	800	R
Diodo continuo de avance current1^), TC=25 °C.	ES	200	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	800	R
Potencia dissipation3^), TC=25 °C.	PD	202	W
Avalancha por pulsos única energy5)	EAS	240	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 175	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,74	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		1,0	1,1	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=20 V.
				-100		VGS=-20 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			1	μA	VDS=40 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		3,2		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		1951		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		113		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		17,5		no	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	tr		25,2		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		48,2		no
Tiempo de caída	tf		25,7		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		75,9		NC	VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40 A.
Cargo de origen de puerta	QGS		25		NC
Carga de drenaje del punto de inyección	Qgd		15,3		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		4,9		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=20 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		61,4		no	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		86		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		2,7		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en la placa 1 in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire quieto con ta=25 °C.
5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0,3 MH, TJ inicial=25 °C.