Tira de LED con Mosfet de bajo RDS (ON)

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Estructura de encapsulación: El transistor de plástico sellada
• Instalación: Plug-in de triodo
• No. de Modelo.: OSG60R060H4T3ZF TO247-4L
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• Nivel de potencia: Media Potencia
• Función: triodo de potencia, Triodo de conmutación
• Estructura: NPN
• Material: Silicio
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• Paquete de Transporte: aire
• Especificación: to247-4l
• Marca Comercial: semiconductor oriental
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20k/mensual

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

El MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza tecnología de equilibrio de carga para lograr una resistencia a la entrada baja y una carga de compuerta más baja. Está diseñado para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una sólida capacidad de avalancha.
La serie genérica GreenMOS® está optimizada para un rendimiento de conmutación extremo para minimizar la pérdida de conmutación. Está diseñado para aplicaciones de alta densidad de potencia para cumplir con los estándares de eficiencia más altos.


Características

•  RDS (ON) Y   FOM BAJOS
•    Pérdida de conmutación extremadamente baja
•  Excelente estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones

•  Alimentación del PC
•  Iluminación LED
•  Energía de telecomunicaciones
•  Potencia del servidor
•  Cargador EV
• Solar/UPS

 

  Parámetros clave de rendimiento
 

 Descripción general
El   MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza  tecnología de equilibrio de carga para  lograr    una resistencia a la entrada baja y     una carga de compuerta más baja.     Está diseñado  para  minimizar   la pérdida de conducción,  proporcionar   un rendimiento de conmutación superior y  una sólida capacidad de avalancha.
La  serie Z de GreenMOS® está integrada con diodo de recuperación rápida (FRD) para minimizar    el tiempo de recuperación inversa.   Es adecuado para  topologías de conmutación resonantes para  alcanzar   una mayor eficiencia,   mayor fiabilidad  y  un factor de forma más pequeño.

Características
.   RDS (ON) Y   FOM BAJOS
.    Pérdida de conmutación extremadamente baja
.  Excelente estabilidad y  uniformidad

Aplicaciones
.   Iluminación LED
.  Adaptador
.  Telecomunicaciones
.  Solar/UPS
.  Siempre

 Parámetros clave de rendimiento



 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	600	V
ID,  pulso	156	R
RDS(ON),  MÁX . A VGS=10V	58	MΩ
P.	83	NC

 Información de marcado
 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG60R060H4T3ZF	TO247-4L	OSG60R060H4T3Z

 

  Valores máximos absolutos  a  TJ=25°C  a menos   que se indique lo contrario

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	600	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo  current1) , TC=25  °C.	ID	52	R
Drenaje continuo  current1) , TC=100  °C.		32,8
Drenaje pulsado  current2) , TC=25  °C.	ID,  pulso	156	R
Diodo continuo  hacia adelante  current1)  , TC=25  °C.	ES	52	R
Diodo  pulsado  current2) , TC=25  °C.	ES , pulso	156	R
Potencia  dissipation3) , TC=25  °C.	PD	440	W
Avalancha por impulsos sencilla  energy4)	EAS	486	MJ
Resistencia MOSFET  dv/dt , VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso  dv/dt, VDS=0...480 V,  ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a  150	°C

Características térmicas

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica,  caja de conexiones	RθJC	0,28	°C/W
Resistencia térmica,  ambiente de unión	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  a  TJ=25°C  salvo   que se especifique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Fuente de drenaje tensión de ruptura	BVDSS	600			V	VGS=0 V,  ID=1  MA
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	3,0		5,0	V	VDS=VGS ,  ID=1  MA
Fuente de drenaje resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		52	58	MΩ	VGS=10 V,  ID=26 A.
			129			VGS=10 V,  ID=26 A, TJ=150  °C.
Origen de puerta corriente de fuga	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-  100		VGS=-30 V.
Fuente de drenaje corriente de fuga	IDSS			10	μA	VDS=600 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		2		Ω	ƒ=1  MHz,  drenaje abierto

Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		4257		PF	VGS=0 V, VDS = 50 V, ƒ=100  kHz
Capacitancia de salida	COSS		210		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		3		PF
Capacitancia de salida efectiva , relacionada con la energía	Co(er)		181		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacitancia de salida efectiva  , relacionada con el tiempo	Co(tr)		783		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		30		no	VGS=10 V, VDS = 400 V, RG=5  Ω, ID=40 A.
Tiempo de subida	tr		88		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		65		no
Tiempo de caída	tf		4		no

Características de carga de puerta
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		83		NC	VGS=10 V, VDS = 400 V, ID=40 A.
Cargo por fuente de inyección	QGS		27		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		29		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		7,4		V

Características del diodo corporal
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	ES=52 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		172		no	VR  = 400 V, ES=40 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		911		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		9,2		R

Nota
1)   corriente continua calculada  en función    de la temperatura de unión máxima permitida.  2)     valor nominal repetitivo;  ancho de pulso  limitado  por  la temperatura de unión máxima.
3)   PD   se basa en  la temperatura de unión máxima , utilizando resistencia térmica de la caja de unión.  4)    VDD=100 V, VGS=10 V,  L=75  MH,  TJ inicial=25  °C.