• Modo de mejora de transistor a la OSG220f80r300FF Vds-850V ID-45A (RDS) -300 milliohm Qg-23.3nc para iluminación LED Solar/UPS Mosfet de canal N
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Modo de mejora de transistor a la OSG220f80r300FF Vds-850V ID-45A (RDS) -300 milliohm Qg-23.3nc para iluminación LED Solar/UPS Mosfet de canal N

Proceso de dar un título: RoHS, ISO
Forma: ST
Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
Función: interruptor de transistor
Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia

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Información Básica.

No. de Modelo.
TO220F OSG80R300FF
Estructura
planar
Estructura de encapsulación
chip de transistor
Nivel de potencia
Alto Voltaje
Material
Silicio
Paquete de Transporte
Carton
Especificación
35x37x30
Marca Comercial
Orientalsemi
Origen
China
Código del HS
8541290000
Capacidad de Producción
Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
El     MOSFET de alta tensión GreenMOS®  utiliza la    tecnología de equilibrio de carga  para  obtener  una excelente  resistencia a la baja  y  bajar la  compuerta de  carga. Ha sido diseñado    para  minimizar la   pérdida de la conducción, ofrecer un mejor   rendimiento de conmutación  y  sólida   capacidad de avalancha.
La   GreenMOS®     serie genérica   está   optimizado   para el       rendimiento de conmutación extrema   para   minimizar la   pérdida de conmutación.  Está    diseñado  para       aplicaciones de alta densidad de potencia   para   satisfacer  los   más altos   estándares de eficiencia.

Características
      Bajo  RDS(on) y la  FOM
      Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad

Aplicaciones
       La potencia del PC
       Iluminación LED
       El poder de telecomunicaciones
       Alimentación del servidor.
       Cargador de EV
      Solar/UPS

  Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro Valor Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.). 850 V
 Pulso, ID. 45 Un
RDS(on) , max  @ VGS  =10V 300
Qg 23.3 NC


 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario

El parámetro Símbolo Valor Unidad
Vaciado de la  tensión de fuente VDS. 800 V
Gate- tensión de la fuente VGS ±30 V
  Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C
ID.
15
Un
  Corriente de drenaje continuo1) , TC=100 °C 9.5
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C  Pulso, ID. 45 Un
 Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C Es 15 Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C Es, el pulso 45 Un
 Disipación de potencia3) , TC=25 °C PD 34 W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5). EAS 410 MJ
 Dv/dt MOSFET de  robustez, VDS  =0…480 V. Dv/dt 50 V/ns
 Diodo de retroceso  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSIID. Dv/dt 15 V/ns
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento Tstg  , Tj -55 a 150 °C.


Las  características térmicas

El parámetro Símbolo Valor Unidad
 Resistencia térmica, en la intersección de los casos RθJC 3.68 °C/W
 Resistencia térmica, junction ambiente4). RθJA 62.5 °C/W


 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario

El parámetro Símbolo Min. Tip. Max. Unidad  Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura
BVDSS
800    
V
VGS  =0 V, ID =250 µa
850     VGS  =0 V, ID =250 µa, Tj  =150 °C
 El umbral de puerta
La tensión
VGS(a) 2.9   3.9 V VDS  =VGS , ID=250 µa
Fuente de drenaje  en el estado  resistencia
RDS(on)
  0.24 0.3
Ω.
VGS  =10 V, ID=7.5  Un
  0.64   VGS  =10 V, ID=7.5, Tj  =150 °C
Fuente de puerta.
 Corriente de fuga.

IGSS
    100
NA
VGS  =30 V
    - 100 VGS  =-30V
Fuente de drenaje
 Corriente de fuga.
IDSS     5 ΜA VDS  =800 V, VGS  =0 V
 Resistencia a la puerta RG   18.2   Ω. Ƒ=1 MHz,  drenaje abierto


Nota
1) se    calcula  una  corriente continua  basada  en la  máxima  admisible de   temperatura de unión.
2)     calificación repetitivos; el  ancho de pulso  limitada  por  un máximo de  temperatura de unión.
3)    PD  se  basa  en  un máximo de  temperatura de unión, mediante el  cruce de los casos  la  resistencia térmica.
4)     El  valor  de  RθJA  se  mide  con  el  dispositivo  montado  en el 1 de 2 FR-4 junta  2oz. El cobre, en  el   aire  ambiente  con  TA=25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=79,9 mH, a partir de  Tj  =25 °C.

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Paquete
Tipo
Las unidades/.
El tubo
Los tubos   interiores  de la caja/. Las unidades    interiores  de la caja/.  Cuadros/  caja de cartón interior   Unidades/     caja de cartón  
A220F-C 50 20 1000 6 6000
A220F-J 50 20 1000 5 5000


 Información del producto

Producto Paquete Pb  Free RoHS  Libre de halógenos
OSG80R300FF A220F


La cadena de suministro

Mode To220f Osg80r300FF Vds-850V ID-45A Qg-23.3nc for LED Lighting Solar/UPS N-Channel Power Mosfet



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Capital Registrado
10000000 RMB
Área de la Planta
501~1000 Metros Cuadrados