RDS (bajo) y la FOM (figura de mérito) Vds 40V 800A Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 Mosfet

• Application: Lorry, Truck, Car, Mini Car, Microbus
• Certification: ISO, RoHS
• Voltage: 40V
• Power Supply: Battery
• Type: Car Electric Heating Cup
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• No. de Modelo.: SFS04R011UGNF PDFN5x6
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• applications1: cargador pd
• applications2: controlador de motor
• applications3: regulador de tensión de conmutación
• applications4: convertidor dc-dc
• applications5: fuente de alimentación de modo de conmutación
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35x30x37cm
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción general
FSMOS MOSFET® se basa en el semiconductor orientales exclusivo diseño del dispositivo para lograr bajo RDS(on), bajo la puerta de carga, el cambio rápido y excelentes características de avalancha. El alto de la serie V está especialmente diseñado para uso en sistemas de control del motor con la conducción tensión de más de 10V.

Características

• Bajo RDS(on) y la FOM (figura de mérito)
• Extremadamente baja pérdida de conmutación
• Una excelente fiabilidad y uniformidad
• El cambio rápido y la recuperación de software
• AEC-Q101 aptos para aplicaciones de automoción

Aplicaciones

• Cargador de PD
• Controlador de motor
• El regulador de voltaje de conmutación
• Convertidor DC-DC
• Modo de conmutaci n fuente de alimentación

Los parámetros de rendimiento clave

 

El parámetro	Valor	Unidad
VDS.	40	V
Pulso, ID.	800	Un
RDS(on), max @ VGS=10V	1.1.	MΩ
Qg	75.9	NC

Marcar información

 

El nombre del producto	Paquete	El marcado
Fe04R011UGNF	PDFN5×6	Fe04R011UGN

 

Máximo absoluto de los índices en el TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciado de la tensión de fuente	VDS.	40	V
Gate-tensión de la fuente	VGS	±20	V
Corriente de drenaje continuo^1), el TC=25 °C	ID.	200	Un
Impulsos de corriente de drenaje^2), el TC=25 °C	Pulso, ID.	800	Un
Diodo continua corriente^1), el TC=25 °C	Es	200	Un
El diodo corriente pulsada^2), el TC=25 °C	Es, el pulso	800	Un
Disipación de potencia^3), el TC=25 °C	PD	202	W
Solo avalancha de pulsos de energía5).	EAS	240	MJ
Funcionamiento y la temperatura de almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 175	°C.

Las características térmicas
 

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	0.74	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas en TJ=25°C a menos que se especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la tensión de ruptura	BVDSS	40			V	VGS = 0 V, ID=250 µa
Tensión umbral de puerta	VGS(a)	2.0		4.0	V	VDS=VGS, ID=250 µa
Fuente de drenaje en el estado resistencia	RDS(on)		1.0	1.1.	MΩ	VGS=10 V, ID=20
Gate-fuente corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS=20 V
				-100		VGS=-20 V
Fuente de drenaje de corriente de fuga.	IDSS			1	ΜA	VDS.=40 V, VGS = 0 V.
Resistencia a la puerta	RG		3.2.		Ω.	Ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
La capacitancia de entrada	La CISS		5453		PF	VGS = 0 V, Vds.=25 V Ƒ=100 kHz.
La capacitancia de salida	Coss		1951		PF
La transferencia inversa la capacitancia	Sir		113		PF
Tiempo de retardo de encendido	Td(en)		17.5		Ns	VGS=10 V, Vds.=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	Tr		25.2		Ns
Desactivar el tiempo de retraso	Td(off)		48.2		Ns
Tiempo de bajada	Tf		25.7		Ns

Características de carga de la puerta

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El total de carga de la puerta	Qg		75.9		NC	VGS=10 V, Vds.=40 V, ID=40 A
Carga de la fuente de puerta.	Qgs		25		NC
Carga de drenaje de puerta.	Qgd		15.3		NC
Tensión de la meseta de puerta	Vplateau		4.9		V

Características Diodo cuerpo

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
El diodo tensión directa	VSD			1.3	V	Es de=20 A, VGS = 0 V.
Invertir el tiempo de recuperación	Trr		61.4		Ns	VR=40 V, es de=40 A Di/dt=100 A/μs
Carga de la recuperación de marcha atrás	Qrr		86		NC
El pico de corriente de recuperación inversa	Irrm		2.7		Un

Nota

1. Se calcula una corriente continua basada en la máxima admisible de temperatura de unión.
2. Calificación repetitivos; el ancho de pulso limitada por un máximo de temperatura de unión.
3. Pd se basa en un máximo de temperatura de unión, mediante el cruce de los casos la resistencia térmica.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en² FR-4 junta 2oz. El cobre, en el aire ambiente con TA=25 °C.
5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, a partir de TJ=25 °C.