Colector bajo - tensión de saturación del emisor Ost40n120hmf 10µ S cortocircuito Tolerancia 1200V 40A Frd integrado to-247n Field Stop Trench IGBT

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: El transistor de microondas
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: OST40N120HMF TO-247N
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

Descripción general
OST40N120HMF utiliza la avanzada tecnología patentada Trident-Gate Bipolar Transistor (TGBTTM) de Oriental-Semi para proporcionar un VCE (SAT) extremadamente bajo, una carga de compuerta baja y un excelente rendimiento de conmutación. Este dispositivo es adecuado para convertidores de frecuencia de conmutación de rango medio a alto.

Características

• Tecnología TGBTTM avanzada
• Excelente conducción y pérdida de conmutación
• Excelente estabilidad y uniformidad
• Diodo antiparalelo rápido y suave

Aplicaciones

• Convertidores de inducción
• Sistemas de alimentación ininterrumpida

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VCES, mín. A 25°C.	1200	V
Temperatura de unión máxima	175	°C
IC, pulso	160	R
VCE(sat), típ @ VGE=15V	1,45	V
QG	214	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

Valores máximos absolutos en TVJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Voltaje del emisor del colector	VCES	1200	V
Voltaje del emisor de la puerta	VGES	±20	V
Voltaje del emisor de puerta transitoria, TP≤0.5µs, D<0,001		±25	V
Colector continuo current1^), TC=25ºC.	IC	56	R
Colector continuo current1^), TC=100ºC.		40	R
Colector pulsado current2^), TC=25ºC.	IC, pulso	160	R
Diodo hacia adelante current1^), TC=25ºC.	SI	56	R
Diodo hacia adelante current1^), TC=100ºC.		40	R
Diodo pulsado current2^), TC=25ºC.	SI, pulso	160	R
Potencia dissipation3^), TC=25ºC.	PD	357	W
Potencia dissipation3^), TC=100ºC.		179	W
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TVJ	-55 a 175	°C
Tiempo de resistencia a cortocircuitos VGE=15 V, VCC≤600 V. Número permitido de cortocircuitos < 1000 tiempo entre cortocircuitos:≥1,0 S TVJ=150 °C.	TSC	10	μs

Características térmicas

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica IGBT, caja de conexiones	RθJC	0,42	°C/W
Resistencia térmica de diodo, caja de conexión	RθJC	0,75	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	40	°C/W

 

Características eléctricas en TVJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura colector-emisor	V(BR)CES	1200			V	VGE=0 V, IC=0,5 MA
Tensión de saturación del colector-emisor	VCE (Sáb)		1,45	1,8	V	VGE=15 V, IC=40 A TVJ=25°C.
			1,65		V	VGE = 15 V, IC = 40 A, TVJ = 125°C.
			1,8			VGE = 15 V, IC = 40 A, TVJ = 175°C.
Emisor de puerta tensión de umbral	VGE(TH)	4,8	5,8	6,8	V	VCE=VGE, ID=0,5 MA
Tensión de avance del diodo	FV		1,9	2,1	V	VGE=0 V, IF=40 A TVJ =25°C.
			1,6			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =125°C.
			1,5			VGE=0 V, IF=40 A, TVJ =175°C.
Emisor de puerta corriente de fuga	IGES			100	Na	VCE = 0 V, VGE = 20 V.
Corriente del colector de tensión de puerta cero	EL CIEM			10	μA	VCE=1200V, VGE=0 V.

 

Características dinámicas
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	Cie		11270		PF	VGE = 0 V, VCE = 25 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COE		242		PF
Capacitancia de transferencia inversa	Cres		10		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		120		no	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=40 A
Tiempo de subida	tr		88		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		246		no
Tiempo de caída	tf		160		no
Energía de encendido	Eon		3,14		MJ
Energía de apagado	Eoff		1,02		MJ
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		112		no	VGE=15 V, VCC=600 V, RG=10 Ω, IC=20 A
Tiempo de subida	tr		51		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		284		no
Tiempo de caída	tf		148		no
Energía de encendido	Eon		1,32		MJ
Energía de apagado	Eoff		0,53		MJ

Características de carga de puerta
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	QG		214		NC	VGE = 15 V, VCC = 960 V, IC = 40 A.
Carga de emisor de puerta	Qge		103		NC
Cargo del colector de la puerta	QGC		40		NC

Características del diodo corporal
 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tiempo de recuperación inversa del diodo	trr		293		no	VR=600 V, IF=40 A, Dif/dt=500 A/μs TVJ = 25°C.
Carga de recuperación inversa de diodo	QRR		2,7		μC
Corriente de recuperación inversa de pico de diodo	Irrm		25		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Valor nominal repetitivo; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en la placa 1 in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire quieto con ta=25 °C.

 

Versión 1: Dimensión de contorno del paquete TO247-P.

Información para pedidos
 

Tipo de paquete	Unidades/ tubo	Tubos/ Caja interior	Unidades/ Caja interior	Cajas internas/ Caja de cartón	Unidades/ Caja de cartón
TO247-P	30	11	330	6	1980

Información del producto
 

Producto	Paquete	PB libre	RoHS	Libre de halógenos
OST40N120HMF	TO247	sí	sí	sí

Exención de responsabilidad legal
En ningún caso se considerará que la información facilitada en el presente documento es una garantía de condiciones o características. Con respecto a cualquier ejemplo o sugerencia que se presente en este documento, cualquier valor típico que se indique en el presente documento y/o cualquier información relativa a la aplicación del dispositivo, Oriental Semiconductor renuncia por el presente documento a cualquier garantía y responsabilidad de cualquier tipo, incluidas, entre otras, las garantías de no infracción de los derechos de propiedad intelectual de terceros.

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