Convertidor dc/dc aislado de baja tensión de conducción 40V FSMS MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• No. de Modelo.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: Medium Power
• Material: Silicon
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• tipo: estación de carga rápida
• garantía: 24 meses
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: PDFN5 x 6
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20kkkk/Monthly

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

FSMOS® MOSFET se basa en el diseño de dispositivos exclusivo de Oriental Semiconductor para lograr bajo RDS(ON), baja carga de compuerta, conmutación rápida y excelentes características de avalancha. La serie Low Vth está especialmente optimizada para sistemas de rectificación síncrona con baja tensión de conducción.


Características

• RDS (ON) y FOM (Figura del mérito) bajos
• Pérdida de conmutación extremadamente baja                                                                  
• Excelente fiabilidad y uniformidad
• Conmutación rápida y recuperación suave
• AEC-Q101 calificado para aplicaciones de automoción

Aplicaciones

• Alimentación eléctrica electrónica de consumo
• Control del motor
• Rectificación síncrona
• Convertidor dc/dc aislado
• Inversores

Parámetros clave de rendimiento

 

Parámetro	Valor	Unidad
VDS	40	V
ID, pulso	600	R
RDS(ON) MÁX. A VGS=10V	1,1	MΩ
P.	118,4	NC

Información de marcado

 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

BV >45V, Rdson <1,1mohm
- FOM y Rdson coherentes con Infineon BSC010N04LSI
 

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	40	V
Tensión de la fuente de la compuerta	VGS	±20	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	200	R
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	600	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	200	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	Es, Pulso	600	R
Potencia dissipation3^), TC=25 °C.	PD	178	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	144	MJ
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg,TJ	-55 a 175	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,84	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	40			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	1,2		2,5	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		0,9	1,1	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A.
Resistencia de estado de encendido de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		1,5	2,0	MΩ	VGS=6 V, ID=20 A.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=20 V.
				-100		VGS=-20 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			1	UA	VDS=40 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		3,2		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		5453		PF	VGS=0 V, VDS=25 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		1951		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		113		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		23,9		no	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	tr		16,9		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		80,4		no
Tiempo de caída	tf		97,7		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		85,6		NC	VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Cargo por fuente de inyección	QGS		17,6		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		14,5		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		3,6		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=20 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		71,1		no	VR=40 V, IS=40 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		50,1		NC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		1,2		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en la placa 1 in2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25 °C.

VDD=30 V,VG=10 V, L=0,3 MH, inicial TJ=25 °C.