Modo de mejora de transistor Mosfet de canal N Pdfn5*6 Sfg15R25GF Vds-150V-180ID de la RDS (ON) -25milliohm Qg-42.8nc para fuente de alimentación conmutada

• Proceso de dar un título: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindaje: Corte abrupto del tubo de aislamiento
• Método de enfriamiento: Aire tubo enfriado
• Función: interruptor de transistor
• Frecuencia de trabajo: Alta frecuencia
• No. de Modelo.: PDFN5*6 SFG15R25GF
• Estructura: planar
• Estructura de encapsulación: chip de transistor
• Nivel de potencia: Alto Voltaje
• Material: Silicio
• Paquete de Transporte: Carton
• Marca Comercial: Orientalsemi
• Origen: China
• Código del HS: 8541290000
• Capacidad de Producción: Over 1kk/Month

Descripción de Producto

 Descripción general
SFGMOS   MOSFET®  se  basa  en el   semiconductor orientales  exclusivo   diseño del dispositivo  para  lograr  bajo RDS(on), bajo la  puerta de  carga, el  cambio rápido  y  excelentes   características de avalancha. La  baja de la    serie V está  especialmente  diseñado  para  uso  en     sistemas de alimentación de rectificación síncrona  con la   conducción de baja  tensión.
 

Características
      Bajo  RDS(on) y la  FOM
      Extremadamente  baja   pérdida de conmutación
      Excelente  estabilidad  y  uniformidad
       El cambio rápido  y  la recuperación de software  


Aplicaciones
       Cargador de PD
       Controlador de motor
        El regulador de voltaje de conmutación
       Convertidor DC-DC
         Fuente de alimentación conmutada


  Los parámetros de rendimiento clave

El parámetro	Valor	Unidad
VDS, min  @ Tj(máx.).	150	V
Pulso, ID.	180	Un
RDS(on), max  @ VGS  =10V	25	MΩ
Qg	42.8	NC

 Máximo absoluto de los  índices  en el  TJ  =25°C  a menos que   se indique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Vaciar la   tensión de fuente	VDS.	150	V
La puerta la   tensión de fuente	VGS	±20	V
Corriente de drenaje continuo1) , TC=25 °C	ID.	60	Un
Impulsos de   corriente de drenaje2) , TC=25 °C	Pulso, ID.	180	Un
Diodo continua   corriente1) , TC=25 °C	Es	60	Un
El diodo   corriente pulsada2) , TC=25 °C	Es, el pulso	180	Un
Disipación de potencia3) , TC=25 °C	PD	100	W
Solo   avalancha de pulsos de  energía5).	EAS	2.4	MJ
Funcionamiento  y la   temperatura de almacenamiento	Tstg  ,Tj	-55 a 150	°C.

Las  características térmicas

El parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, en la intersección de los casos	RθJC	1.25	°C/W
Resistencia térmica, junction ambiente4).	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  en  Tj  =25°C  a menos que  se  especifique lo contrario

El parámetro	Símbolo	Min.	Tip.	Max.	Unidad	Condición de prueba
Vaciar el origen de la           tensión de ruptura	BVDSS	150			V	VGS  =0 V, ID =250 µa
El umbral de puerta La tensión	VGS(a)	1.5		2.5	V	VDS  =VGS , ID=250 µa
Fuente de drenaje En el estado de la  resistencia	RDS(on)		20	25	MΩ	VGS  =10 V, ID=30
Fuente de drenaje En el estado de la  resistencia	RDS(on)		25	30	MΩ	VGS  =4,5 V, ID=20
Fuente de puerta.  Corriente de fuga.	IGSS			100	NA	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20V
Fuente de drenaje  Corriente de fuga.	IDSS			1	ΜA	VDS  =150 V, VGS  =0 V
Resistencia a la puerta	RG		4		Ω.	Ƒ=1 MHz,  drenaje abierto

 

Solicitar  información

Paquete Tipo	Las unidades/. El tambor	Los tambores  /     Cuadro interior	Las unidades    interiores  de la caja/.	Cuadros/  caja de cartón interior	Unidades/     caja de cartón
PDFN5*6-C	5000	2	10000.	5	50000

 Información del producto

Producto	Paquete	Pb  Free	RoHS	Libre de halógenos
SFG15R25GF	PDFN5*6	Sí	Sí	Sí

 

La cadena de suministro

Declaración de los productos verdes