Control de carga rápida extral Aux Flyback convertir alta tensión de potencia MOSFET

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• No. de Modelo.: Osg90r1K2if To262
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Plastic Sealed Transistor
• Power Level: Medium Power
• Material: Silicon
• descripción: pérdida de conmutación extremadamente baja
• características: excelente estabilidad y uniformidad
• aplicaciones: alimentación del pc
• industrias: iluminación led
• tipo: estación de carga rápida
• garantía: 24 meses
• Paquete de Transporte: Carton
• Especificación: 37*37*29CM
• Marca Comercial: Orientalsemiconductor
• Origen: China
• Código del HS: 854129000
• Capacidad de Producción: 20K/Monthly

Descripción de Producto

Descripción del producto

Descripción general

OSG90R1K2xF utiliza tecnología GreenMOSTM avanzada para proporcionar bajo RDS(ON), baja carga de puerta, conmutación rápida y excelentes características de avalancha. Este dispositivo es adecuado para aplicaciones de fuente de alimentación de modo conmutado y corrección de factor de potencia activa.


Características                                         Aplicaciones

1. Iluminación baja RDS (on) y FOM                                              
2. Pérdida de conmutación extremadamente baja                               PWM de conmutación dura
3. Excelente estabilidad y uniformidad               Fuente de alimentación del servidor
4. Fácil de conducir                              Cargador

Parámetros clave de rendimiento
 

1. 1. Valores máximos absolutos a TJ=25ºC a menos que se indique lo contrario

 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	900	V
Tensión de la fuente de la compuerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 ºC	ID	5	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 ºC		3,2
Drenaje pulsado current2^), TC=25 ºC	ID, pulso	15	R
Potencia dissipation3) para TO251, TO262, TC=25 ºC	PD	83	W
Potencia dissipation3^) para TO220F, TC=25 ºC		31
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	211	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	50	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	15	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg,TJ	-55 a 150	ºC

 

 

1. &bsp; Características térmicas

 

Parámetro	Símbolo	Valor		Unidad
		TO251/TO262	TO220F
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	1,5	4,0	C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	62,5	C/W

1. Características eléctricas a TJ=25 ºC salvo indicación contraria

 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	900			V	VGS=0 V, ID=250 ΜA
		960	1070			VGS=0 V, ID=250 ΜA, TJ=150 ºC
Tensión de umbral de puerta	VGS(TH)	2,0		4,0	V	VDS=VGS, ID=250 ΜA
Resistencia en estado on de la fuente de drenaje	RDS (ACTIVADO)		1,0	1,2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A.
			2,88			VGS=10 V, ID=2 A, TJ=150 ºC
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			10	μA	VDS=900 V, VGS=0 V.

1. Características dinámicas

 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		874,2		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, f=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		37,5		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		1,7		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		33,23		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Tiempo de subida	tr		26,50		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		44,00		no
Tiempo de caída	tf		17,63		no

 

 

1. Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		12,50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V.
Cargo por fuente de inyección	QGS		3,75		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		4,28		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		5,8		V

1. Características del diodo corporal

 

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Corriente de avance del diodo	ES			5	R	VGS<Vth
Corriente de fuente pulsada	ISP			15
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=5 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		265,87		no	VR=400 V, IS=5 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		2,88		μC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		19,51		R

1. Nota

 

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en la placa 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 MH, TJ inicial=25 ºC.

Información de marcado
 

Nombre del producto	Paquete	Marcado
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

Valores máximos absolutos a TJ=25°C a menos que se indique lo contrario
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Tensión de la fuente de drenaje	VDS	650	V
Tensión de la fuente de la puerta	VGS	±30	V
Drenaje continuo current1^), TC=25 °C.	ID	80	R
Drenaje continuo current1^), TC=100 °C.		50
Drenaje pulsado current2^), TC=25 °C.	ID, pulso	240	R
Diodo continuo hacia adelante current1^), TC=25 °C.	ES	80	R
Diodo pulsado current2^), TC=25 °C.	ES, pulso	240	R
Potencia  dissipation3^) , TC=25  °C.	PD	500	W
Avalancha por impulsos sencilla energy5)	EAS	2900	MJ
Resistencia MOSFET dv/dt, VDS=0...480 V.	dv/dt	100	V/ns
Diodo inverso dv/dt, VDS=0...480 V, ISD≤ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamiento y almacenamiento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

Características térmicas
 

Parámetro	Símbolo	Valor	Unidad
Resistencia térmica, caja de conexiones	RθJC	0,25	°C/W
Resistencia térmica, empalme-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas a TJ=25°C salvo que se especifique lo contrario

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de ruptura de la fuente de drenaje	BVDSS	650			V	VGS=0 V, ID=2 MA
		700	770			VGS=0 V, ID=2 mA, TJ=150 °C.
Umbral de puerta voltaje	VGS(TH)	3,0		4,5	V	VDS=VGS, ID=2 MA
Fuente de drenaje resistencia en estado	RDS (ACTIVADO)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40 A.
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, TJ=150 °C.
Corriente de fuga de la fuente de inyección	IGS			100	Na	VGS=30 V.
				-100		VGS=-30 V.
Corriente de fuga de la fuente de drenaje	IDSS			10	μA	VDS=650 V, VGS=0 V.
Resistencia de la compuerta	RG		2,1		Ω	ƒ=1 MHz, drenaje abierto

Características dinámicas

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Capacitancia de entrada	CISS		9276		PF	VGS=0 V, VDS=50 V, ƒ=100 kHz
Capacitancia de salida	COSS		486		PF
Capacitancia de transferencia inversa	CRSs		12,8		PF
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con la energía	Co(er)		278		PF	VGS=0 V, VDS=0 V-400 V.
Capacitancia de salida efectiva, relacionada con el tiempo	Co(tr)		1477		PF
Tiempo de retardo de encendido	td (activado)		55,9		no	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 A
Tiempo de subida	tr		121,2		no
Tiempo de retardo de apagado	td (desactivado)		114,2		no
Tiempo de caída	tf		8,75		no

Características de carga de puerta

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Carga total de la puerta	P.		175,0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 A
Cargo por fuente de inyección	QGS		40,1		NC
Carga de drenaje de la compuerta	Qgd		76,1		NC
Tensión de meseta de la puerta	VPlateau		6,4		V

Características del diodo corporal

Parámetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidad	Condición de prueba
Tensión de avance del diodo	VSD			1,3	V	IS=80 A, VGS=0 V.
Invertir tiempo de recuperación	trr		180		no	ES=30 A, Di/dt=100 A/μs
Carga de recuperación inversa	QRR		1,5		UC
Corriente de recuperación inversa pico	Irrm		15,2		R

Nota

1. Corriente continua calculada en función de la temperatura de unión máxima permitida.
2. Capacidad repetitiva; ancho de pulso limitado por la temperatura de unión máxima.
3. PD se basa en la temperatura de unión máxima, utilizando resistencia térmica de la caja de unión.
4. El valor de RθJA se mide con el dispositivo montado en 1 en la placa 2 FR-4 con 2oz. Cobre, en un ambiente de aire sin aire con ta=25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 MH, TJ inicial=25 °C.